CXMT מתכננת להשיק זיכרון שרתים DDR5 בטכנולוגיית 4F² עד סוף 2026

CXMT מציבה זיכרון שרתים 4F² כיעד לסוף 2026

CXMT מתכננת להשיק זיכרון שרתים DDR5 RDIMM מבוסס ארכיטקטורת 4F² DRAM עד סוף 2026, כך הכריז נשיא CXMT, צ'או קניו, בכנס הרביעי לשבבים וצ'יפלטים המשולבים בשאנחאי. אם לוח הזמנים זה יישמר, CXMT עשויה לשחרר זיכרון 4F² כשנתיים לפני Samsung, ממנה לא צפויים מוצרי 4F² לפני 2028.

לפי החברה, המעבר מתאים מסורתיים 6F² ל-4F² עשוי להגדיל את צפיפות תאי DRAM בשבב ב-30-50%. CXMT פרסמה את המאמר הראשון על ארכיטקטורה זו ב-2021 וצברה מעל 300 משפחות פטנטים שפורסמו הקשורים אליה, אותן צ'או מעריך כמיצוב מוביל בתעשייה.

VSG ו-HKMG מאפשרים תאים קטנים יותר

לפי CXMT, החידור המרכזי ביישום הוא טרנזיסטור שער מוקף אנכית (Vertical Surrounded Gate, VSG) שפותח בחברה. מבנה התעלה המוקפת אנכית נועד להתמודד עם זליגת זרם ואפקטי תעלה קצרה, ומאפשר סולם מידות טוב יותר שטח בעת הקטנת התאים.

CXMT משתמשת גם בטכנולוגיית High-k Metal Gate (HKMG) בתהליך G4 שלה. הגישה מחליפה את בידודי השער המסורתיים המבוססים סיליקון בחומרים בעלי קבוע דיאלקטרי גבוה, כגון תחמוצת ההפניום, שהחברה מייחסת לזליגת זרם נמוכה יותר, יעילות אנרגטית טובה יותר ומתג מהיר יותר.

שוק השרתים וכוח המפעלים

זיכרון שרתים דורש פעולה רציפה בתנאי עומס ממושכים, מה שמהווה דרישה גבוהה יותר מאשר באלקטרוניקה צרכנית, שבה, לפי CXMT, בסיס הלקוחות שלה היה מרוכז. לכן תוכנית ה-RDIMM היא מאמץ ישיר להיכנס לשוק זיכרון השרתים הגבוה, שבו פועלות Samsung, SK Hynix ו-Micron. אף אחת מהשלוש לא השיגה מסחר נרחב של ארכיטקטורת 4F², ועבור SK Hynix ו-Micron לא הוכרזו לוחות זמנים ל-4F². Samsung הצגה תוכנית לשימוש בקישור היברידי wafer-to-wafer בתהליך B1b שלה, אם כי גישה זו מתוארת כיקרה ועד לייצור המוני נותרו שנים.

CXMT מרחיבה גם את כוח הייצור. החברה מציבה כיעד ייצור של 300,000 פרוסות בחודש בשלושה מפעלים של 300 מילימטר עד סוף השנה. שני מתחמים בבנייה בשאנחאי ובחפיי עשויים להעלות בסופו של דבר את כוח הייצור הכולל ל-600,000 פרוסות בחודש.

מקורות: Tweaktown · Trendforce · Techmeme