מיקרון מסיימת פיתוח DRAM 4F² לאחר שני עשורים, מציינת שאין רווח בצפיפות

מיקרון מסיימת פיתוח DRAM 4F²

מיקרון החליטה להפסיק את הפיתוח העתידי של DRAM 4F² לאחר כעשרים שנה של מחקר. החברה מציינת שהארכיטקטורה אינה מספקת יתרונות צפיפות משמעותיים, מגבירה את מורכבות הייצור והעלות, ומתמודדת עם מגבלות סקלינג בסיסיות.

סקוט דה-בור, נשיא מיקרון ומנהל הטכנולוגיה והמוצרים הראשי, אמר שהחברה המציאה את DRAM 4F² אך העריכה אותה במשך עשרים השנים האחרונות ובחרה לא להמשיך בה בגלל מורכבות ועלות גבוהות יותר.

סיבות טכניות מאחורי ההחלטה

היתרון התיאורטי של DRAM 4F² הוא שטח תא קטן בכ‑33 אחוזים בהשוואה לעיצובי 6F² רגילים, מה שעשוי להגדיל את מספר תאי הזיכרון לפרוסת סיליקון בכ‑50 אחוזים בקירוב. עם זאת, דה-בור הסביר שמרווח הקבל והמידות שלו, ולא טביעת הרגל של הטרנזיסטור, הם שקובעים בסופו של דבר את צפיפות הסיביות של DRAM. הן טרנזיסטורי 4F² והן 6F² חייבים להתאים מתחת לקבלים, כך שהקטנת שטח הטרנזיסטור בלבד אינה מבטיחה תא כולל קטן יותר.

מיקרון גילתה גם ש‑4F² מוסיפה שלבי ייצור נוספים שמעלים עלויות בלי לספק תועלת מספקת. דה-בור תיאר את יתרון הצפיפות הנטען כמיתוס, והדגיש שמרווח הקבל מגדיר את גודל תא ה‑DRAM.

מפת הדרכים העתידית מתמקדת ב‑6F² וב‑DRAM תלת‑ממדי

במקום לאמץ 4F², מיקרון תמשיך לשדרג את DRAM 6F² הרגיל באמצעות ליתוגרפיה מתקדמת, חומרים חדשים וקשירת פרוסות. טכנולוגיית התהליך 1δ הקרובה מתוכננת לייצור המוני במחצית השנייה של 2027 ומבטיחה שיפור של כ‑25 אחוזים בצפיפות הסיביות לעומת קודמתה.

החברה גם מתכננת לאמץ ליתוגרפיית EUV בעלת NA גבוה לדורות DRAM עתידיים. דה-בור הודה ש‑4F² אפשרית מבחינה טכנית ושמיקרון בנתה התקנים ניסיוניים, אך אמר שהמורכבות והעלות שלה נעשות בעייתיות יותר ככל שגדלי המאפיינים מצטמצמים. הוא ציין של‑4F² אין נתיב סקלינג בר-קיימא מעבר לנקודה מסוימת, ושבעיות פיזיקה בסיסיות יובילו במקום זאת ל‑DRAM תלת‑ממדי.

מיקרון כבר מפתחת מספר דורות של צמתי ייצור DRAM תלת‑ממדי ותעבור אליהם כאשר הטכנולוגיה תציע את השילוב הנכון של צפיפות, מורכבות ייצור ועלות. בעוד שסמסונג ו‑SK hynix משאירות את 4F² במפות הדרכים שלהן, מיקרון מאמינה שהארכת שדרוג 6F² ולבסוף מעבר ל‑DRAM תלת‑ממדי מספקת אסטרטגיה טובה יותר לטווח ארוך.

מקורות: Tom's Hardware