תוכנית HBM מותאם אישית של NVIDIA מאחדת את Samsung ו-TSMC עבור שבב בסיס ב-3nm
NVIDIA דוחקת בספקי הזיכרון שלה לאמץ תהליך ייצור אחד עבור HBM מותאם אישית, כש-Samsung, TSMC, Micron ו-SK hynix משתפים פעולה על שבב בסיס ב-3nm שמטרתו ביצועים אחידים ופחות שלבי אימות.
NVIDIA מבקשת מייצרי הזיכרון לאמץ תהליך ייצור משותף אחד לשבב הבסיס
NVIDIA מפתחת פתרון HBM מותאם אישית, המכונה בדיווח NVHBM, עבור מעבדי ה-GPU מסדרת Feynman שלה. החברה טוענת שהעיצוב הפנימי יכול לספק עד 30% יותר רוחב פס זיכרון מאשר HBM4E סטנדרטי, תוך צריכת חשמל של עד 15% פחות. כדי להשיג מטרות אלה, לפי הדיווח, NVIDIA מבקשת מ-Samsung, Micron ו-SK hynix לייצר את שבב הבסיס של NVHBM בצומת 3nm של TSMC, צעד שמיישר זמנית את ספקי הזיכרון תחת תהליך ייצור אחד.
Samsung מתרחקת מגישת ה-turnkey שלה
Samsung טיפלה בדרך כלל בשבבי הליבה והבסיס של HBM בגישת turnkey. ה-NVHBM המותאם אישית דורש שיטת ייצור יעילה יותר, כאשר שבב הבסיס נבנה בצומת 3nm, כך שהמוצר המוגמר דורש פחות שלבי אימות איכות. לפי הדיווח, Samsung קיבלה את בקשת NVIDIA, ומדובר בפעם הראשונה שהחברה מתרחקת מדגם ה-turnkey שלה. Samsung עדיין מעריכה את מפעל השבבים שלה למקרה שהביקוש ל-NVHBM יחרוג מיכולת הייצור של TSMC, ופיתוח שבבי ליבה ובסיס סטנדרטיים של HBM יישאר באחריות Samsung.
איחוד תקנים ותמונת ה-foundry של Samsung
שבב הליבה של NVHBM חייב להסתמך על תהליך ה-DRAM בן הדור השישי המכונה 1c. Micron ו-SK hynix הצטרפו ל-Samsung במאמץ לאחד את הייצור, במטרה להשיג ביצועים עקביים בין ספקים. מכיוון שרק תהליך 3nm של TSMC ישמש לשבב הבסיס, NVIDIA לא תצטרך לאמת כל דוגמה של כל ספק בנפרד, ובכך חוסכת זמן ומשאבים. הדיווח מציין גם את תפקיד HBM בעסקי ה-foundry של Samsung: ההפסד המוערך של פעילות ה-foundry של החברה הצטמצם ב-41% בתוך שנה אחת, מ-6.74 טריליון וון (5.1 מיליארד דולר) ב-2025 ל-3.92 טריליון וון (2.95 מיליארד דולר) ב-2026, כש-HBM מקבל את הקרדיט כגורם מרכזי בהפחתת ההפסדים הללו.
SiTech — פיתוח אתרים בכוח ה-AI
אנחנו בונים אתרים מהירים ומודרניים ומשלבים AI בתהליכי עבודה אמיתיים. יש לכם פרויקט או שאלה? נשמח לעזור.