TSMC מכחישה דיווח על בחינת 3D DRAM לבקשת Nvidia

דיווח עדכני מסר כי TSMC בוחנת ייצור 3D DRAM לבקשת Nvidia, על רקע ביקוש גובר לחומרת AI שמפעיל לחץ על אספקת ה-DRAM העולמית ומעלה מחירים. TSMC הכחישה את הדיווח ומסרה שהיא בית יציקה לוגי טהור ושבכוונתה להישאר כזו. גם אם תוכנית כזו קיימת, 3D DRAM רחוקה שנים מהבשלה לשוק.

מה אומר הדיווח

The Information דיווח כי TSMC החלה להכין תוכניות לייצור 3D DRAM בעקבות בקשה של Nvidia, הלקוחה הגדולה ביותר שלה. הדיווח הסתמך על שני מקורות המכירים את היוזמה. לפי הדיווח, את המאמץ מוביל Hsu Kuo-chin, סגן נשיא TSMC לאריזה מתקדמת ולשעבר ראש הפעילות של Micron בטייוואן. עוד נאמר בדיווח כי התוכנית עשויה ליצור עבור TSMC עסק חדש ולהרחיב את תפקידה בשרשרת האספקה של ה-AI, אף ששוק הזיכרון חשוף לסיכונים מחזוריים.

תגובת TSMC

TSMC מסרה כי היא מתמקדת בעסקי הליבה שלה, ייצור IC לפי הזמנה, ושמטרתה להישאר ספקית הטכנולוגיה והקיבולת המהימנה של תעשיית ה-IC הלוגי העולמית. דובר החברה אמר ל-Tom's Hardware כי TSMC היא בית יציקה לוגי טהור ושבכוונתה להישאר בית יציקה לוגי. החברה עובדת בשיתוף פעולה הדוק עם יצרניות DRAM כשהיא אורזת זיכרון בחבילות מערכת עבור לקוחותיה, אך חסרים לה הידע והקיבולת הייצורית לייצר DRAM, שלא לדבר על 3D DRAM.

מדוע 3D DRAM עדיין רחוקה

שלא כמו DRAM קונבנציונלית, שמסדרת תאי זיכרון במישור אחד, 3D DRAM מציבה כמה שכבות של תאי זיכרון באופן אנכי כדי להגדיל את הקיבולת לכל פרוסה. שלוש יצרניות ה-DRAM המובילות, Micron, Samsung ו-SK hynix, עובדות על 3D DRAM. האסטרטגיה של Micron כוללת לפחות ארבע טכנולוגיות תהליך DRAM מישוריות נוספות לפני ש-3D DRAM תהפוך למציאות. ל-TSMC יש טכנולוגיות תהליך לוגיות חזקות, אך ייצור DRAM דורש תהליכי ייצור שונים לחלוטין. פיתוח 3D DRAM דורש גם טכניקות ייצור לשכבות רבות של תאי זיכרון, תוך בקרת פגמים ושמירה על תפוקה סבירה. כמעט בלתי אפשרי לפתח תהליך 3D DRAM בלי תהליך DRAM מישורי תחרותי, ול-TSMC אין תהליך כזה. גם עבור יצרניות הזיכרון הגדולות 3D DRAM רחוקה שנים, ולכן אין בה כדי לפתור את המחסור בזיכרון לפחות חמש שנים.

סיכונים וחלופות

כניסה לייצור DRAM תחשוף את TSMC לסיכוני שוק. מחסורים בזיכרון מעודדים לעתים קרובות הרחבת כושר ייצור, שלאחר מכן יוצרת עודף היצע, ומורידה מחירים ורווחיות. זה עלול גם לסבך את יחסיה של TSMC עם יצרניות DRAM גדולות, במיוחד SK Hynix, שהתחברה לחברת היציקה ב-2024 כדי לייצר שבבי בסיס לוגיים עבור מוצרי HBM מהדור הבא. כניסה פוטנציאלית של TSMC עלולה להעלות שאלות הגבלים עסקיים אם היא תשלב ייצור לוגי בחזית הטכנולוגיה, אריזת שבבים מתקדמת, והגברת ייצור זיכרון. רגולטורים יוכלו לבחון אם אינטגרציה אנכית תאפשר ל-TSMC להעדיף את מוצרי הזיכרון שלה או להעמיד מתחרים בעמדת נחיתות. מנגד, ייצור DRAM בתוך TSMC יכול גם לחזק את התחרות באמצעות הכנסת ספק נוסף לשוק שנשלט על ידי שלוש יצרניות. TSMC תוכל גם להימנע מבניית DRAM על ידי ייצור שבבי בסיס לוגיים מתוחכמים עבור HBM, שילוב זיכרון עם מעבדים באמצעות טכנולוגיית ההידבקות ההיברידית SoIC, ופיתוח פתרונות זיכרון מותאמים אישית עם שותפים כמו GUC ויצרניות DRAM ותיקות. גישה זו תוכל להרחיב את נוכחותה בזיכרון מתקדם בלי להשקיע מיליארדים בפיתוח תהליכי DRAM או בבניית מפעלים נוספים בעלות של עשרות מיליארדים של דולרים.

מקורות: Tom's Hardware