
مايكرون تُنهي تطوير ذاكرة DRAM بمعمارية 4F² بعد عقدين، وتستشهد بعدم وجود زيادة في الكثافة
تُنهي مايكرون العمل على ذاكرة DRAM بمعمارية 4F² بعد 20 عاماً، قائلةً إنها لا تقدم زيادة حقيقية في الكثافة، وتضيف تكلفة وتعقيداً، ولها حدود تحجيم جوهرية. وستواصل الشركة تطوير ذاكرة DRAM بمعمارية 6F² والانتقال إلى ذاكرة DRAM ثلاثية الأبعاد.
Micron تنهي تطوير ذاكرة DRAM ببنية 4F²
قررت Micron وقف التطوير المستقبلي لذاكرة 4F² DRAM بعد نحو عقدين من البحث. وتذكر الشركة أن البنية لا توفر مزايا كثافة ذات معنى، وتزيد من تعقيد التصنيع والتكلفة، وتواجه قيوداً أساسية في التحجيم.
قال Scott DeBoer، رئيس Micron وكبير مسؤولي التكنولوجيا والمنتجات، إن الشركة اخترعت 4F² DRAM لكنها قيمتها على مدى العشرين عامًا الماضية واختارت عدم متابعتها بسبب تعقيد وتكلفة أعلى.
الأسباب التقنية وراء القرار
الفائدة النظرية لـ DRAM 4F² هي مساحة خلية أصغر بنحو 33 بالمئة من تصميمات 6F² التقليدية، مما قد يرفع عدد خلايا الذاكرة لكل ويفر بنحو 50 بالمئة. ومع ذلك، أوضح DeBoer أن خطوة المكثف وأبعاده، وليس بصمة الترانزستور، تحدد في نهاية المطاف كثافة البتات في DRAM. يجب أن تتناسب ترانزستورات 4F² و6F² مع المكثفات، لذا فإن تقليل مساحة الترانزستور وحدها لا يضمن خلية كلية أصغر.
وجدت Micron أيضًا أن 4F² يُدخل خطوات تصنيع إضافية ترفع التكاليف من دون تقديم فوائد كافية. وصف DeBoer الميزة المزعومة في الكثافة بأنها أسطورة، مؤكداً أن خطوة المكثف تحدد حجم خلية DRAM.
خارطة الطريق المستقبلية تركز على 6F² و 3D DRAM
بدلاً من اعتماد 4F²، ستواصل Micron تصغير DRAM 6F² التقليدية باستخدام ليثوغرافيا متقدمة ومواد جديدة وربط الرقاقات. من المقرر أن تدخل تقنية 1δ حيز الإنتاج المجمع في النصف الثاني من 2027، وتوعد بتحسين كثافة البتات بنسبة تتراوح حول 25 بالمئة مقارنةً بسابقتها.
كما تخطط الشركة لاعتماد ليثوغرافيا EUV ذات الفتحة العددية العالية (High-NA) لأجيال DRAM المستقبلية. أقرّ DeBoer أن 4F² ممكن تقنيًا وأن Micron بنى أجهزة تجريبية، لكنه قال إن تعقيدها وتكلفتها تصبحان أكثر إشكالية مع تقلص أحجام الميزات. وأشار إلى أن 4F² لا يمتلك مسارًا مستدامًا للتصغير بعد نقطة معينة وأن مشكلات الفيزياء الأساسية ستقود إلى DRAM ثلاثي الأبعاد بدلاً من ذلك.
تقوم Micron بالفعل بتطوير عقد إنتاج 3D DRAM متعددة الأجيال وستنتقل عندما تقدم التقنية المزيج المناسب من الكثافة وتعقيد التصنيع والتكلفة. بينما تحافظ Samsung وSK hynix على 4F² في خرائط طريقها، تعتقد Micron أن تمديد تحجيم 6F² والانتقال في النهاية إلى 3D DRAM يوفر استراتيجية أفضل على المدى الطويل.
المصادر: Tom's Hardware
SiTech — تطوير ويب مدعوم بالذكاء الاصطناعي
نبني مواقع سريعة وعصرية وندمج الذكاء الاصطناعي في سير عمل الشركات. لديك مشروع أو سؤال؟ يسعدنا مساعدتك.