TSMC تنفي استكشاف 3D DRAM بطلب من Nvidia

أفاد تقرير حديث بأن TSMC تستكشف إنتاج 3D DRAM بطلب من Nvidia، في وقت تضغط فيه طلبات الذكاء الاصطناعي على إمدادات DRAM العالمية وترفع الأسعار. نفت TSMC التقرير، قائلة إنها مسبك منطق خالص وتخطط للبقاء كذلك. حتى إذا وُجدت مثل هذه الخطة، فإن 3D DRAM تبعد سنوات عن قابلية التسويق.

ماذا يقول التقرير

أفاد The Information بأن TSMC بدأت إعداد خطط لتصنيع 3D DRAM بعد طلب من Nvidia، أكبر عملائها. وتم الاستشهاد بشخصين مطلعين على المبادرة. وأفاد التقرير بأن الإشراف على الجهد يتولاه Hsu Kuo-chin، نائب رئيس TSMC للتغليف المتقدم والرئيس السابق لعمليات Micron في تايوان. كما قال التقرير إن الخطة قد تخلق عملاً جديداً لـ TSMC وتتوسع بدورها في سلسلة توريد الذكاء الاصطناعي، مع أن الذاكرة معرضة لمخاطر دورية.

رد TSMC

قالت TSMC إنها تركز على أعمالها الأساسية، وهو مسبك IC مخصص، وتهدف إلى أن تكون مزود التقنية والقدرة الموثوق به لصناعة IC المنطق العالمية. وأخبر متحدث باسم TSMC Tom's Hardware بأن TSMC مسبك منطق خالص وتخطط للبقاء مسبكاً للمنطق. تعمل الشركة عن كثب مع منتجي DRAM عندما تغلف الذاكرة في حزم النظام للعملاء، لكنها تفتقر إلى الخبرة والقدرة الإنتاجية لصنع DRAM، ناهيك عن 3D DRAM.

لماذا لا تزال 3D DRAM بعيدة

على عكس DRAM التقليدية، التي ترتب خلايا الذاكرة في مستوى واحد، تضع 3D DRAM مستويات متعددة من خلايا الذاكرة عمودياً لزيادة السعة لكل رقاقة. ويعمل جميع منتجي DRAM الثلاثة الرئيسيين، Micron و Samsung و SK hynix، على 3D DRAM. تتضمن استراتيجية Micron لـ DRAM على الأقل أربع تقنيات عملية DRAM مستوية إضافية قبل أن تصبح 3D DRAM واقعاً. تمتلك TSMC تقنيات عملية منطق قوية، لكن إنتاج DRAM يتطلب عمليات تصنيع مختلفة تماماً. كما يتطلب تطوير 3D DRAM تقنيات تصنيع لطبقات متعددة من خلايا الذاكرة مع التحكم في العيوب والحفاظ على غلة مقبولة. ومن المستحيل تقريباً تطوير عملية 3D DRAM دون عملية DRAM مستوية منافسة، وهو ما لا تمتلكه TSMC. حتى بالنسبة لكبرى شركات الذاكرة، فإن 3D DRAM تبعد سنوات، لذا فإن السعي وراءها لا يمكن أن يحل نقص الذاكرة لخمس سنوات على الأقل.

المخاطر والبدائل

سيعرض دخول TSMC في تصنيع DRAM للمخاطر السوقية. غالباً ما تشجع نقص الذاكرة على توسعات في القدرة الإنتاجية تخلق لاحقاً فائضاً، مما يخفض الأسعار والربحية. قد يعقد أيضاً علاقة TSMC مع كبار منتجي DRAM، خاصة SK Hynix، التي تعاونت مع المسبك في 2024 لتصنيع قوالب منطقية أساسية لمنتجات HBM من الجيل التالي. قد يثير دخول TSMC المحتمل تساؤلات مكافحة الاحتكار إذا جمع بين تصنيع منطق متطور، وتغليف رقائق متقدم، وإنتاج ذاكرة متنامٍ. قد يدرس المنظمون ما إذا كان التكامل الرأسي سيتيح لـ TSMC تفضيل منتجات ذاكرتها الخاصة أو إلحاق الضرر بالمنافسين. في الوقت نفسه، قد يعزز مورد آخر المنافسة في سوق تهيمن عليه ثلاثة مصنعون. يمكن لـ TSMC أيضاً تجنب بناء DRAM من خلال إنتاج قوالب منطقية أساسية متطورة لـ HBM، ودمج الذاكرة مع المعالجات باستخدام تقنية SoIC للربط الهجين، وتطوير حلول ذاكرة مخصصة مع شركاء مثل GUC ومنتجي DRAM الراسخين. قد يوسع هذا النهج حضورها في الذاكرة المتقدمة دون استثمار مليارات في تطوير عملية DRAM أو بناء مصانع إضافية بتكلفة عشرات المليارات من الدولارات.

المصادر: Tom's Hardware