בלוג

Micron מתכננת חיבור פרוסות ו-High-NA EUV ל-DRAM מהדור הבא

Micron אומרת כי תשתמש בחיבור פרוסות וב-High-NA EUV עבור DRAM עתידי, תוך פיתוח HBM אנכי וזיכרון הסקה בקצה אנכי שימוקמו מעל מעבדים. החברה מצפה שהקטנת DRAM תישען על תהליכים חדשים ואינטגרציה הדוקה יותר עם שבבי לוגיקה.