Micron, 4F² DRAM Geliştirmeyi İki On Yıl Sonra Sonlandırdı, Yoğunluk Artışı Yok Dedi

Micron, 4F² DRAM Geliştirmeyi Sonlandırıyor

Micron, 4F² DRAM'in gelecekteki geliştirmesini yaklaşık iki on yıl araştırma sonrası durdurmaya karar verdi. Şirket, mimarinin anlamlı yoğunluk avantajı sağlamadığını, üretim karmaşıklığını ve maliyetini artırdığını ve temel ölçeklenme kısıtlamalarıyla karşılaştığını belirtiyor.

Micron'un başkanı ve baş teknoloji ve ürün sorumlusu Scott DeBoer, şirketin 4F² DRAM'i icat ettiğini ancak son yirmi yıl boyunca değerlendirdiğini ve daha yüksek karmaşıklık ve maliyet nedeniyle takip etmemeyi seçtiğini söyledi.

Kararın Teknik Nedenleri

4F² DRAM'in teorik avantajı, hücre alanının geleneksel 6F² tasarımlarından yaklaşık yüzde 33 daha küçük olmasıdır; bu da wafer başına bellek hücresi sayısını yaklaşık yüzde 50 artırabilir. Ancak DeBoer, kondansatör aralığı ve boyutlarının, transistör ayak izinin değil, nihai olarak DRAM bit yoğunluğunu belirlediğini açıkladı. Hem 4F² hem de 6F² transistörleri kondansatörlerin altına sığmalıdır; bu nedenle yalnızca transistör alanını küçültmek genel hücreyi daha küçük yapmayı garanti etmez.

Micron ayrıca, 4F²'nin yeterli fayda sağlamadan maliyeti artıran ek üretim adımları getirdiğini buldu. DeBoer, öne sürülen yoğunluk avantajını bir efsane olarak nitelendirdi ve kondansatör aralığının DRAM hücre boyutunu belirlediğini vurguladı.

Gelecek Yol Haritası 6F² ve 3D DRAM'a Odaklanıyor

4F²'yi benimsemek yerine Micron, gelişmiş litografi, yeni malzemeler ve wafer birleştirme kullanarak geleneksel 6F² DRAM'i ölçeklendirmeye devam edecek. Yaklaşan 1δ işlem teknolojisi, 2027'nin ikinci yarısında seri üretime planlanıyor ve öncekine göre bit yoğunluğunda yüzde 20'lerin ortasında bir iyileşme vaat ediyor.

Şirket aynı zamanda gelecek DRAM nesilleri için yüksek-NA EUV litografisini benimsemeyi planlıyor. DeBoer, 4F²'nin teknik olarak uygulanabilir olduğunu ve Micron'un deneysel cihazlar inşa ettiğini kabul etti, ancak özellik boyutları küçüldükçe karmaşıklığın ve maliyetin giderek sorunlu hale geldiğini söyledi. 4F²'nin belirli bir noktadan sonra sürdürülebilir bir ölçeklendirme yolu olmadığını ve temel fizik sorunlarının sonunda 4F² yerine 3D DRAM'e yol açacağını belirtti.

Micron zaten birden fazla 3D DRAM üretim neslini geliştirmekte ve teknoloji yoğunluk, üretim karmaşıklığı ve maliyetin doğru kombinasyonunu sunduğunda geçiş yapacak. Samsung ve SK hynix 4F²'yi yol haritalarında tutarken, Micron 6F² ölçeklendirmesini genişletmenin ve nihayetinde 3D DRAM'a geçmenin daha iyi bir uzun vadeli strateji sağladığını düşünüyor.

Kaynaklar: Tom's Hardware