
Samsung ve SK hynix, YMTC yükselirken Çin NAND'ını 200 Katmanın Ötesine İlerletiyor
Samsung, Xi'an NAND tesisini yaklaşık 200 katmandan 286 katmanlı V9 üretimine taşımayı planlarken, SK hynix Dalian'da 240 katmana kadar üretim yetkisi aldı. TrendForce, Çin'in Samsung NAND çıktısının %30-35'i olduğunu belirtiyor.
Çin NAND yükseltmeleri 200 katmanı geçti
Yapay zeka odaklı talep DRAM'dan NAND'a genişlerken, Samsung ve SK hynix önemli Çin tesislerini yükseltiyor. Reuters'a göre Samsung, Xi'an tesisini yaklaşık 200 katmanlı NAND'dan 286 katmanlı V9 üretimine kaydırmayı planlıyor. SK hynix zaten Dalian'da 240 katmana kadar NAND üretimine yetkili ve 300 katmanın üzerindeki teknoloji için ABD onayı talep edebilir.
TrendForce, Çin'in Samsung toplam NAND çıktısının yaklaşık %30-35'ini ve SK hynix için hatta daha yüksek %40-45'ini oluşturduğunu tahmin ediyor. Bu pay, her iki şirketin de Çin fabrikalarını Güney Kore üretim standartlarına yakın tutmaya çalıştığını vurguluyor.
YMTC baskı artırıyor
Yükseltmeler, Çin'in YMTC'si daha yüksek katmanlara doğru ilerlerken geliyor. Reuters'a göre YMTC'nin NAND portföyüne hâlâ 160 ve 232 katmanlı ürünler hâkim olsa da, şirket zaten 294 katmanlı çipleri sınırlı hacimde üretiyor ve 300 katmanın ötesine geçmeyi planlıyor.
İhracat kuralları hala fab planlarını şekillendiriyor
ABD ihracat kısıtlamaları büyük bir engel olmaya devam ediyor. Reuters'a göre Samsung ve SK hynix, Çin tesislerine ABD yapımı ekipman kurmak için yıllık lisans almak zorunda. Washington, 2025'te teknoloji yükseltmelerini veya kapasite genişlemelerini onaylamayacağını belirtti.
Samsung ve SK hynix, yükseltmelerin Washington ile yakın koordinasyonda sürdüğünü Reuters'a onayladı, ancak ayrıntılı üretim planlarını açıklamayı reddetti. Konuya yakın kaynaklar, her iki şirketin de Çin tesislerinde 200 katmandan fazla NAND üretmeyi hedeflediğini söyledi.
Samsung ve SK hynix Çin'in ötesinde yarışıyor
Fransızca 'arkadaşım' anlamına gelen Monami adlı bir iç proje kapsamında Samsung, Xi'an tesisini 286 katmanlı V9 NAND'a geçirmeyi planlıyor. SK hynix'in Dalian tesislerini mevcut 192 katmanlı NAND teknolojisinden 240 katmana veya daha fazlasına yükseltmeyi planladığı bildiriliyor.
Çin'in ötesinde, Samsung, Seoul Economic Daily'ye göre V-NAND kapasitesinin yaklaşık %60'ını 286 katmanlı V9'a kaydırdı. Rapor, Samsung'un NVIDIA'ya sevkiyatları artırdığını ve V10 NAND'ın kitle üretimine ve teslimatına başladığını, bir sonraki nesil V11'in yaklaşık 500 katman hedefiyle geliştirilmesinin hızlandığını belirtiyor.
SK hynix de artan talebi karşılamak için 321 katmanlı NAND'a geçişini hızlandırıyor. Bloter'a göre bu teknoloji 2026 yılı ikinci çeyrekte en büyük NAND üretim segmenti haline geldi ve yıl sonuna kadar yerel NAND kapasitesinin yaklaşık yarısının 321 katmanlı ürünlere geçmesi bekleniyor.
Kaynaklar: Trendforce · Biggo Finance (Reuters Reprint)
SiTech — AI destekli web geliştirme
Hızlı ve modern web siteleri kuruyor, AI'yı gerçek iş akışlarına taşıyoruz. Projeniz veya sorunuz mu var? Yardımcı olmaktan mutluluk duyarız.