•SiTech AI Team
Nagare Labs-ın Z2RAM-i SRAM sürəti və DRAM sıxlığını hədəfləyir
Pat Gelsinger dəstəkli Georgia Tech spinout-u Z2RAM-in AI çiplərində SRAM sürətli yaddaşı DRAM sıxlığında yerləşdirə biləcəyini deyir. Nəşr olunmuş hüceyrələr 85 dərəcə Selsidə 300 saniyədən çox məlumat saxlayır; Gen 1 göstəriciləri proqnoz olaraq qalır.
