Nagare Labs-ın Z2RAM-i SRAM sürəti və DRAM sıxlığını hədəfləyir
Pat Gelsinger dəstəkli Georgia Tech spinout-u Z2RAM-in AI çiplərində SRAM sürətli yaddaşı DRAM sıxlığında yerləşdirə biləcəyini deyir. Nəşr olunmuş hüceyrələr 85 dərəcə Selsidə 300 saniyədən çox məlumat saxlayır; Gen 1 göstəriciləri proqnoz olaraq qalır.
Nagare Labs, Pat Gelsinger dəstəkli Georgia Tech spinout-u, Z2RAM yaddaşının AI çiplərində SRAM sürətli yaddaşı DRAM sıxlığında birbaşa yerləşdirə biləcəyini deyir. Qurucularının nəşr olunmuş hüceyrələri 85 dərəcə Selsidə 300 saniyədən çox məlumat saxlayıb. Şirkətin Gen 1 göstəriciləri, o cümlədən 5x SRAM sıxlığı və 14x DRAM sürəti, proqnoz olaraq qalır.
Z2RAM necə işləyir
Nagare Z2RAM-i "İki tranzistor və bir qalxan. Kondensator yox." şəklində təsvir edir. Yazma tranzistoru yükü saxlama düyününə yerləşdirir, qalxan səs-küylü qonşuları bloklayır, oxuma tranzistoru isə boşaltmadan hiss edə bilir. Bu gain cell-də oxuma tranzistorunun gate tutumu yükü saxlayır, buna görə oxumalar dağıdıcı deyil və DRAM geri yazılmasından qaçır. Nagare hər bit üçün 1 pikocouldan xeyli aşağı hədəfləyir.
Yaddaş darboğazı
AI çiplərinə yüksək ötürmə qabiliyyəti lazımdır, lakin HBM məhsuldarlığı çətindir. İstilik həmçinin yığılmış yaddaşı məhdudlaşdırır və Samsung-un zHBM-i təxminən dörd qat üçün planlaşdırılır. Nagare deyir ki, pik hesablama üç onillik ərzində ildə 70 faiz artıb, yaddaş ötürmə qabiliyyətinə qarşı 20 faiz. 2025-ci ildə həmtəsisçi Shimeng Yu-nun qrupunun simulyasiyası yığılmış DRAM altında məntiq gücünü 220 Vt/sm2, daha yaxşı istilik keçidləri ilə 300 Vt/sm2 qoydu ki, DRAM 95 dərəcə Selsidə və ya ondan aşağı qalsın.
Nəşr olunmuş nəticələr və açıq suallar
2020-ci ildə həmtəsisçi Suman Datta-nın qrupunun məqaləsi 25 dərəcə Selsidə 1 saniyə saxlama və 85 dərəcə Selsidə 300 millisaniyə bildirdi. 2025-ci il yeniləməsi 25 dərəcə Selsidə 1.000 saniyədən çox əldə etdi və sonradan gücləndirilmiş üç tranzistorlu hüceyrə 85 dərəcə Selsidə 300 saniyədən çox məlumat saxladı. Nagare ölçülmüş saxlama, gecikmə və ya enerji göstəricilərini paylaşmaqdan imtina etdi. Datta The Register-ə dedi ki, Z2RAM tile-lərinin nümunələndirilməsi dörd il ərzində hədəflənir və istehsal göndərişləri, əgər gəlsələr, növbəti onillikdə olacaq.
İstehsal çətinlikləri
Nagare qatları sürətləndiricinin üstünə qurur və onları bir die üzərində birlikdə naxışlayır, yaddaş qatları arasında interposer və ya bağ yoxdur. Hazırda fab-ı yoxdur və R&D fab tərəfdaşı axtarır. Yu The Register-ə dedi ki, bu cür yaddaşın sürətləndirici ilə inteqrasiyası üçün standart mövcud deyil və Datta tək elektron effektləri kimi etibarlılıq narahatlıqlarını qeyd etdi.
Mənbələr: Tom's Hardware
SiTech — AI ilə gücləndirilmiş veb hazırlanması
Sürətli və müasir saytlar qurur, AI-ı real biznes proseslərinə gətiririk. Layihəniz və ya sualınız var? Kömək etməyə hazırıq.