Intel EMIB və Foveros çiplərinin qablaşdırılmasında növbəti addımları müəyyənləşdirdi

EMIB incə körpülərə və böyük paketlərə doğru irəliləyir

Intel-ə görə, genişləndirilmiş qablaşdırma yüksək performanslı müştəri və məlumat məzi CPU-lərində indi zəruri olub, EMIB və Foveros isə bir çox yeni multi-chiplet məhsulunda istifadə olunur. Şirkətin fikrincə, multi-chiplet strategiya xərclərə qənaət və proqnozlaşdırıla bilən şəkildə performansı və funksionallığı artırır, bütün layihələr uğurlu olmayıb. Məqsəd EMIB və Foveros Direct 3D kombinasiyası ilə 12 retiklə qədər system-in-package-lərdir.

EMIB 2017-ci ildən istehsalda və günümüzədək organik substratda kiçik silisium körpülərindən istifadə edir, yalnız sıx die-to-die əlaqələri üçün, böyük interposer əvəzinə. Intel ilk növbəti bump pitch-i 55-dən 45 mkm-ə endirdi, planlarda 36 və sonra 25 mkm var. EMIB-M enerji üçün MIM kondensorları əlavə edir, EMIB-T isə vertikal enerji üçün through-silicon via-ları istifadə edir. Intel-ə görə, EMIB-T 2027-ci ildə istehsala girəcək və məhsul göstəriciləri və etibarlılıq hədəflərə cavab verəcək.

Foveros interposer, RDL və hibrid birləşmə variantlarını əlavə edir

Foveros 2019-cu ildə chip-on-wafer ilə başladı və 2.5D və 3D inteqrasiya ailəsinə çevrildi. Lakefield və Ponte Vecchio 36 mkm microbump pitch olan aktiv base die-lərdən istifadə edirdi, Meteor Lake, Arrow Lake və Panther Lake isə eyni pitch olan passiv base-dən. Yeni Foveros 2.5D portfelində Foveros-S, Foveros-R və Foveros-B var. Intel onları TSMC CoWoS analoqları kimi təqdim etdi: pitch-lər 25 mkm-dən az, bump sıxlığı mm²-də 772-dən 1600 əlaqəyə qədər, chip-to-chip enerji 0,15 pJ/bit.

Foveros-S çiplətləri silisium interposer üzərinə yerləşdirir və dörd retiklə qədər paketləri dəstəkləyir, TSMC CoWoS-S-in 5,5 retiklindən azdır. Foveros-R interposer-i əvəz edir və fan-out RDL-lərdən (üç qatına qədər) istifadə edir, xərc və sıxlığı tarazlayır və UCIe əsaslı heterogen inteqrasiyaya dəstək verir. Intel-ə görə, Foveros-R 2027-ci ildə istehsala hazır olacaq. Foveros-B böyük AI və HPC dizaynları üçündür və RDL-ləri lokal aktiv və ya passiv silisium körpüləri ilə birləşdirir. Intel Foveros-B-in EMIB olduğunu söymür, lakin körpülər EMIB-M və EMIB-T-yə oxşardır və gecikmə ilə cache dezaggregasiyasına, inteqre olunmuş gərginlik regulyatorlarına və ya MIM kondensorlarına kömək edə bilər.

Birləşdirilmiş qablaşdırma böyük AI və HPC modullarını hədəfləyir

Foveros Direct 3D solder microbump-lərindən birbaşa mis-mis hibrid birləşməyə keçir. Birinci növbə: 9 mkm pitch, təxminən 12300 pad/mm², chip-to-chip enerji 0,05 pJ/bit-dən az. İkinci növbə: 3 mkm pitch və 100000-dən çox pad/mm². Intel-ə görə, üsul face-to-back və face-to-face quruluşuna, chip-to-wafer və wafer-to-wafer birləşməsinə, müxtəlif die ölçülərinə, bir çox səviyyəyə və müxtəlif process node die-lərinə dəstək verir. Clearwater Forest bu texnologiyanın ilk kütləvi məhsuludur, Intel 18A compute çiplətlərini aktiv base die-lərə birləşdirir.

Intel Foveros-ı EMIB ilə EMIB 3.5D adı ilə də birləşdirə bilər. Foveros modullarında sıx 2.5D və ya 3D əlaqələr verir, EMIB isə modulları üfüqi birləşdirir. Intel-ə görə, bu silisium səthini interposer əsaslı dizaynlarınkindan daha böyük edir. Ponte Vecchio ilk EMIB 3.5D məhsulu idi: beş process node-də hazırlanmış 47 aktiv tile və 100 milliarddan çox tranzistor. Intel-ə görə, Xeon Diamond Rapids EMIB 3.5D istifadə etmir, çünki Foveros Direct 3D-i vertikal və UCIe əlaqələri yan tərəfə planlaşdırır.

Mənbələr: Tom's Hardware