Micron iki onillikdən sonra 4F² DRAM inkişafını dayandırır və sıxlıq artımı olmadığını bildirir

Micron 4F² DRAM inkişafını dayandırır

Micron gələcək 4F² DRAM inkişafını təxminən iyirmi illik tədqiqatdan sonra dayandırmaq qərarına gəlib. Şirkət bildirir ki, bu arxitektura mənalı sıxlıq üstünlükləri təmin etmir, istehsal mürəkkəbliyini və xərcini artırır və fundamental miqyaslandırma məhdudiyyətləri ilə üzləşir.

Scott DeBoer, Micron-un prezidenti və baş texnologiya və məhsullar üzrə direktoru, dedi ki, şirkət 4F² DRAM-i ixtira edib, lakin onu son iyirmi il ərzində qiymətləndirib və daha yüksək mürəkkəblik və xərc səbəbilə onu davam etdirməməyi seçib.

Qərarın arxasındakı texniki səbəblər

4F² DRAM-ın nəzəri üstünlüyü ondan ibarətdir ki, hüceyrə sahəsi ənənəvi 6F² dizaynlarından təxminən 33 faiz kiçikdir; bu isə bir wafer üzərindəki yaddaş hüceyrələrinin sayını təxminən 50 faiz artıra bilər. Lakin DeBoer izah etdi ki, DRAM bit sıxlığını yekunda kondensator addımı və ölçüləri müəyyən edir, tranzistor izi deyil. Həm 4F², həm də 6F² tranzistorları kondensatorların altında yerləşməli olduğundan, tranzistor sahəsini azaltmaq təkbaşına daha kiçik ümumi hüceyrəni zəmanət etmir.

Micron həmçinin aşkar etdi ki, 4F² kifayət qədər fayda vermədən xərcləri artıran əlavə istehsal addımlarını təqdim edir. DeBoer iddia olunan sıxlıq üstünlüyünü mif kimi təsvir etdi və vurğuladı ki, kondensator addımı DRAM hüceyrəsinin ölçüsünü müəyyən edir.

Gələcək Yol Xəritəsi 6F² və 3D DRAM üzərində cəmləşir

4F²-ni qəbul etmək əvəzinə, Micron ənənəvi 6F² DRAM-i qabaqcıl litografiya, yeni materiallar və wafer birləşdirmə ilə miqyaslandırmağa davam edəcək. Yaxınlaşan 1δ proses texnologiyası 2027-ci ilin ikinci yarısında kütləvi istehsala planlaşdırılır və sələfindən bit sıxlığında təxminən 25 faizlik yaxşılaşma vəd edir.

Şirkət həmçinin gələcək DRAM nəsilləri üçün yüksək-NA EUV litografiyasını qəbul etməyi planlaşdırır. DeBoer təsdiq etdi ki, 4F² texniki cəhətdən mümkündür və Micron eksperimental cihazlar qurub, lakin o dedi ki, xüsusiyyət ölçüləri kiçildikcə onun mürəkkəbliyi və xərci getdikcə daha problemli olur. O qeyd etdi ki, 4F²-nin müəyyən bir nöqtədən sonra davamlı miqyaslandırma yolu yoxdur və fundamental fizika problemləri 4F² əvəzinə 3D DRAM-a gətirib çıxaracaq.

Micron artıq 3D DRAM istehsal nodlarının bir neçə nəsilini inkişaf etdirir və texnologiya sıxlıq, istehsal mürəkkəbliyi və xərcin düzgün kombinasiyasını təklif edəndə keçid edəcək. Samsung və SK hynix 4F²-ni yol xəritələrində saxlayarkən, Micron 6F² miqyaslandırmasını genişləndirməyin və nəhayət 3D DRAM-a keçməyin daha yaxşı uzunmüddətli strategiya təmin etdiyinə inanır.

Mənbələr: Tom's Hardware