CXMT 4F² DDR5 სერვერულ მეხსიერებას 2026 წლის ბოლოსთვის გეგმავს

CXMT 2026 წლის ბოლოსთვის 4F² სერვერულ მეხსიერებას სამიზნედ ისახავს

CXMT-ი გეგმავს, 2026 წლის ბოლომდე გამოუშვას 4F² DRAM არქიტექტურაზე აგებული DDR5 RDIMM სერვერული მეხსიერება, განაცხადა CXMT-ის პრეზიდენტმა ცაო კანიუმ შანხაიში ინტეგრირებული ჩიპებისა და ჩიპლეტების მეოთხე კონფერენციაზე. თუ ეს გრაფიკი შენარჩუნდება, CXMT-ს 4F² მეხსიერების გამოშვება Samsung-ზე დაახლოებით ორი წლით ადრე შეეძლება, რომლისგანაც 4F² პროდუქტებს 2028 წლამდე არ მოელიან.

კომპანიის თქმით, გადასვლამ ჩვეულებრივი 6F² უჯრედებიდან 4F²-ზე შეიძლება ერთ ჩიპზე DRAM უჯრედების სიმკვრივე 30-50%-ით გაზარდოს. CXMT-მა ამ არქიტექტურის შესახებ პირველი ნაშრომი 2021 წელს გამოაქვეყნა და მასთან დაკავშირებული 300-ზე მეტი გამოქვეყნებული საპატენტო ოჯახი დააგროვა, რასაც ცაო ინდუსტრიაში წამყვან პოზიციად აფასებს.

VSG და HKMG უფრო პატარა უჯრედს აძლიერებს

CXMT-ის თქმით, მის განხორციელებაში მთავარი სიახლე კომპანიაში შემუშავებული ვერტიკალურად შემოვლებული კარიბჭის ტრანზისტორია (Vertical Surrounded Gate, VSG). ვერტიკალურად შემოვლებული არხის სტრუქტურა გამიზნულია დენის გაჟონვისა და მოკლე არხის ეფექტების დასაძლევად და უჯრედების შემცირებისას ფართობის უკეთ მასშტაბირების საშუალებას იძლევა.

CXMT ასევე იყენებს High-k Metal Gate (HKMG) ტექნოლოგიას თავის G4 პროცესზე. მიდგომა ტრადიციულ სილიციუმზე დაფუძნებულ კარიბჭის იზოლატორებს ცვლის მაღალი დიელექტრიკული მუდმივის მქონე მასალებით, მაგალითად ჰაფნიუმის ოქსიდით, რასაც კომპანია უკავშირებს ნაკლებ გაჟონვას, უკეთეს ენერგოეფექტურობასა და უფრო სწრაფ გადართვას.

სერვერული ბაზარი და ქარხნის სიმძლავრე

სერვერული მეხსიერება მოითხოვს უწყვეტ მუშაობას ხანგრძლივი დატვირთვის პირობებში, რაც უფრო მაღალი მოთხოვნაა, ვიდრე სამომხმარებლო ელექტრონიკაში, სადაც, CXMT-ის თქმით, მისი მომხმარებლების ბაზა იყო კონცენტრირებული. ამიტომ RDIMM-ის გეგმა პირდაპირი მცდელობაა შევიდეს მაღალი კლასის სერვერული მეხსიერების ბაზარზე, რომელსაც Samsung, SK Hynix და Micron ემსახურებიან. ამ სამიდან არცერთს 4F² არქიტექტურის ფართომასშტაბიანი კომერციალიზაცია არ მიუღწევია და SK Hynix-ისა თუ Micron-ისთვის 4F²-ის ვადები არ დასახელებულა. Samsung-მა თავის B1b პროცესზე wafer-to-wafer ჰიბრიდული ბმის გამოყენების მონახაზი წარმოადგინა, თუმცა ეს მიდგომა ძვირად არის აღწერილი და მასობრივ წარმოებამდე ჯერ წლებია.

CXMT ასევე აფართოებს სიმძლავრეს. კომპანია წლის ბოლოსთვის სამ 300-მილიმეტრიან ქარხანაში თვეში 300 000 ფირფიტის წარმოებას ისახავს მიზნად. შანხაიში და ხეფეიში მშენებარე ორი ობიექტი საბოლოოდ საერთო სიმძლავრეს თვეში 600 000 ფირფიტამდე შეიძლება ასწიოს.

წყაროები: Tweaktown · Trendforce · Techmeme