Nagare Labs-ის Z2RAM მიზნად ისახავს SRAM-ის სიჩქარესა და DRAM-ის სიმკვრივეს
Pat Gelsinger-ის მხარდაჭერილი Georgia Tech-ის სპინოფი ამბობს, რომ Z2RAM-ს AI-ჩიპებზე უშუალოდ შეუძლია განათავსოს მეხსიერება, რომელიც SRAM-ის სიჩქარით მუშაობს და DRAM-ის სიმკვრივეს აღწევს. გამოქვეყნებული უჯრედები 85°C-ზე 300 წამზე მეტხანს ინახავენ მონაცემებს, Gen 1-ის მაჩვენებლები კი ჯერ პროგნოზად რჩება.
Pat Gelsinger-ის მხარდაჭერით შექმნილი Georgia Tech-ის სპინოფი Nagare Labs ამბობს, რომ კომპანიის Z2RAM-ს AI-ჩიპებზე უშუალოდ შეუძლია განათავსოს მეხსიერება, რომელიც SRAM-ის სიჩქარით მუშაობს და DRAM-ის სიმკვრივეს აღწევს. დამფუძნებლების მიერ გამოქვეყნებულ უჯრედებში მონაცემები 85 გრადუს ცელსიუსზე 300 წამზე მეტხანს ინახებოდა. კომპანიის Gen 1-ის მაჩვენებლები, მათ შორის SRAM-ზე 5-ჯერ მაღალი სიმკვრივე და DRAM-ზე 14-ჯერ მაღალი სიჩქარე, ჯერ პროგნოზებად რჩება.
როგორ მუშაობს Z2RAM
Nagare Z2RAM-ს აღწერს როგორც „ორი ტრანზისტორი და ფარი. კონდენსატორის გარეშე“. ჩაწერის ტრანზისტორი მუხტს შესანახ კვანძზე ათავსებს, ფარი ხმაურიან მეზობლებს კეტავს, ხოლო წამკითხავ ტრანზისტორს დაცლის გარეშე შეუძლია სიგნალის აღქმა. ამ გეინ-უჯრედში წამკითხავი ტრანზისტორის კარიბჭის ტევადობა ინახავს მუხტს, ამიტომ კითხვა არადესტრუქციულია და თავიდან ირიდებს DRAM-ის უკან ჩაწერას. Nagare-ს მიზანია ბიტზე პიკოჯოულზე მნიშვნელოვნად ნაკლები ენერგიის მოხმარება.
მეხსიერების ვიწრო ადგილი
AI-ჩიპებს მაღალი გამტარობა სჭირდებათ, თუმცა HBM-ის გამოსავლიანობა სერიოზული გამოწვევაა. სიცხე ასევე ზღუდავს დაწყობილ მეხსიერებას, ხოლო Samsung-ის zHBM დაახლოებით ოთხი ფენით იგეგმება. Nagare-ს თქმით, პიკური გამოთვლითი სიმძლავრე სამი ათწლეულის განმავლობაში წელიწადში 70%-ით იზრდებოდა, მეხსიერების გამტარობა კი წელიწადში მხოლოდ 20%-ით. თანადამფუძნებელ Shimeng Yu-ს ჯგუფის 2025 წლის სიმულაციაში დაწყობილი DRAM-ის ქვეშ ლოგიკის სიმძლავრე 220 W/cm2-ად იყო შეფასებული, უკეთესი თერმული გადასასვლელების შემთხვევაში კი 300 W/cm2-ად, რათა DRAM 95 გრადუს ცელსიუსზე ან უფრო დაბალ ტემპერატურაზე შენარჩუნდეს.
გამოქვეყნებული შედეგები და ღია კითხვები
თანადამფუძნებელ Suman Datta-ს ჯგუფის 2020 წლის ნაშრომში ნათქვამია, რომ მონაცემების შენარჩუნების ვადა 25 გრადუს ცელსიუსზე 1 წამი იყო, 85 გრადუსზე კი 300 მილიწამი. 2025 წლის განახლებაში 25 გრადუს ცელსიუსზე მონაცემების შენარჩუნების ვადამ 1 000 წამს გადააჭარბა, ხოლო მოგვიანებით გაძლიერებულ სამტრანზისტორიან უჯრედში მონაცემები 85 გრადუს ცელსიუსზე 300 წამზე მეტხანს შენარჩუნდა. Nagare-მ უარი თქვა გაზომილი შენარჩუნების ვადის, დაყოვნებისა და ენერგიის მაჩვენებლების გაზიარებაზე. Datta-მ The Register-ს განუცხადა, რომ Z2RAM-ის ფილების ნიმუშების მიწოდება უახლოეს ოთხ წელიწადში იგეგმება, ხოლო სერიული მიწოდება, თუ საერთოდ დაიწყება, მომდევნო ათწლეულში.
წარმოების სირთულეები
Nagare ფენებს აქსელერატორის ზემოთ აშენებს და მათ ერთ კრისტალზე ერთად აყალიბებს, მეხსიერების ფენებს შორის interposer-ისა და ბმების გარეშე. ამჟამად კომპანიას საკუთარი ფაბრიკა არ აქვს და ეძებს R&D ფაბრიკის პარტნიორს. Yu-მ The Register-ს განუცხადა, რომ ამ ტიპის მეხსიერების აქსელერატორთან ინტეგრაციის სტანდარტი არ არსებობს, ხოლო Datta-მ საიმედოობის რისკებზე მიუთითა, მათ შორის ერთელექტრონულ ეფექტებზე.
წყაროები: Tom's Hardware
SiTech — AI-გაძლიერებული ვებ დეველოპმენტი
ვქმნით სწრაფ, თანამედროვე ვებსაიტებს და AI-ს ვაერთიანებთ ქართული ბიზნესებისთვის. გაქვთ პროექტი ან კითხვა? სიამოვნებით დაგეხმარებით.