GlobalFoundries-მა წარადგინა 7nm-კლასის FDX Fusion FD-SOI კვანძი

GlobalFoundries-მა წარადგინა FDX Fusion, ახალი 7nm-კლასის წარმოების პროცესი, რომელიც სრულად გაღარიბებული სილიკონი იზოლატორზე (FD-SOI) ტექნოლოგიას ეფუძნება. კვანძი გვპირდება 7nm-კლასის ციფრულ წარმადობას და კომპანიის 2015 წლისთვის წარმოდგენილი თავდაპირველი 22FDX პროცესის ტრანზისტორის სიმკვრივეზე ორჯერ მეტს. FDX Fusion გამოჩნდა დაახლოებით რვა წლის შემდეგ მას შემდეგ, რაც GlobalFoundries-მა 2018 წელს 7nm FinFET ტექნოლოგიის განვითარება შეწყვიტა.

FDX Fusion ასპარეზზე შემოდის

FDX Fusion-ის პირველი თაობა აერთიანებს ინოვაციებს SOI სუბსტრატებში, ტრანზისტორების სტრუქტურებსა და back-end ურთიერთკავშირებში. GlobalFoundries-ს არ გაუმხელია ტრანზისტორების ზომები, კონტაქტური გეიტის პიჩი, მინიმალური მეტალის პიჩი ან ტრანზისტორის რეალური სიმკვრივე, რის გამოც მისი წარმადობის მტკიცებების ზუსტი მნიშვნელობა გაურკვეველი რჩება. კომპანია გეგმავს 2028 წელს გერმანიაში, დრეზდენში მდებარე ქარხანაში FDX Fusion-ზე ჩიპების წარმოების დაწყებას.

FDX Fusion მხარს უჭერს RF ტრანზისტორებს 0,5 THz-მდე fT/fmax-ით, ანალოგურ და შერეულ-სიგნალურ სქემებს, ჩაშენებულ ენერგოდამოუკიდებელ მეხსიერებას და მეხსიერებაში გამოთვლებს. ეს კომბინაცია გამიზნულია იმისთვის, რომ შესაძლებელი გახადოს მაღალინტეგრირებული ჩიპები, რომლებსაც შეუძლიათ სენსორის მონაცემების დამუშავება, AI ინფერენსის დატვირთვების გაშვება, გარე მოწყობილობების კონტროლი და უსადენო კავშირი მრავალი ცალკე IC-ის გარეშე. GlobalFoundries ასევე გეგმავს MIPS, ARC და RISC-V არქიტექტურებზე დაფუძნებული პროცესორული IP-ის შეთავაზებას.

მნიშვნელოვანი განვითარება FD-SOI-სთვის

GlobalFoundries-მა 22FDX 2015 წელს წარადგინა და 2016 წელს გამოაცხადა მისი მემკვიდრე 12FDX, ტექნოლოგია, რომელიც გვპირდებოდა 10nm FinFET-ის შედარებით წარმადობას და 50%-მდე დაბალ ენერგომოხმარებას. 12FDX-ის პირველი tape-out-ები 2019 წელს იყო მოსალოდნელი, თუმცა კვანძი კომერციულ პროდუქტებში არასოდეს დანერგილა. ამის ნაცვლად, კომპანია ყურადღებას ამახვილებდა 22FDX-ის გაუმჯობესებებზე და მოგვიანებით წარადგინა 22FDX+, რომელსაც დაემატა RF, ჩაშენებული მეხსიერება და დაბალი ენერგომოხმარების შესაძლებლობები. FDX Fusion-მა შესაძლოა ახლა განასახიეროს GlobalFoundries-ის თავდაპირველი ამბიციების რეალიზაცია, 22nm თაობის მიღმა FD-SOI-ის გაფართოების შესახებ, თუმცა კომპანიას არ უთქვამს, შეიცავს თუ არა ის 12FDX პროგრამის განვითარებებს.

CEA-Leti, რომელიც წლების განმავლობაში იკვლევდა მოწინავე FD-SOI-ს, FDX Fusion-ს ერთნიშნა FD-SOI კვანძად აღწერს. CEA-Leti-ს აღმასრულებელმა დირექტორმა სებასტიენ დოვემ თქვა, რომ ინსტიტუტი აგრძელებს FD-SOI-სთვის ევროპული საგზაო რუქის ფორმირებას FAMES საპილოტე ხაზის მეშვეობით.

კითხვები რჩება

GlobalFoundries გეგმავს 2027 წლის დასაწყისში საწყისი დემო სილიკონის მიწოდებას მომხმარებლის შესაფასებლად, ხოლო 2027 წლის შუაში პირველი process design kit-ის გამოშვებას. BMW, Bosch, Infineon, NXP, Siemens და Tesla FDX Fusion-ის მიმართ ინტერესი გამოხატეს, ხოლო Infineon-მა კონკრეტულად დაადასტურა თანამშრომლობა მომავალ 7nm-კლასის ტექნოლოგიებზე რადარისა და უსადენო კომუნიკაციებისთვის. კომპანიას კონკრეტული პროდუქტები არ დაუსახელებია და წარმოების მოცულობები არ უვალდებულებია.

ტექნოლოგიის კომერციული წარმატება დამოკიდებული იქნება რეალურ წარმადობაზე, სიმკვრივეზე, წარმოების ხარჯებსა და კონკურენტუნარიანი დიზაინის ეკოსისტემის ხელმისაწვდომობაზე. განცხადებაში არ შედიოდა წამყვანი EDA და IP დეველოპერების კომენტარები, და GlobalFoundries-ს არ დაუკონკრეტებია EDA ხელსაწყოები, სტანდარტული უჯრედების ბიბლიოთეკები, მეხსიერების კომპილატორები და ინტერფეისის IP, რომლებიც ჩიპების შემქმნელებს დასჭირდებათ. სანამ კონკრეტული ციფრები არ გამოჩნდება, გაურკვეველი რჩება, როგორ შეედრება FDX Fusion სიმკვრივით, ენერგომოხმარებითა და ღირებულებით დამკვიდრებულ 7nm-კლასის FinFET პროცესებს.

წყაროები: Tomshardware