Micron-მა ორი ათწლეულის შემდეგ 4F² DRAM-ის განვითარება შეწყვიტა: სიმკვრივის მატებას არ იძლევა

Micron-მა 4F² DRAM-ის განვითარება შეწყვიტა

Micron-მა დაახლოებით ორი ათწლეულის კვლევის შემდეგ გადაწყვიტა, რომ 4F² DRAM-ის შემდგომ განვითარებას აღარ გააგრძელებს. კომპანიის თქმით, არქიტექტურა სიმკვრივის მნიშვნელოვან უპირატესობას არ იძლევა, წარმოებას უფრო რთულსა და ძვირს ხდის და სკალირების ფუნდამენტურ შეზღუდვებს აწყდება.

Micron-ის პრეზიდენტმა და ტექნოლოგიისა და პროდუქტების მთავარმა ოფიცერმა Scott DeBoer-მა განაცხადა, რომ კომპანიამ 4F² DRAM თავად გამოიგონა, თუმცა ბოლო ოცი წლის განმავლობაში შეაფასა და განვითარებაზე უარი თქვა, რადგან ის უფრო რთული და ძვირია.

გადაწყვეტილების ტექნიკური მიზეზები

4F² DRAM-ის თეორიული უპირატესობა ისაა, რომ უჯრედის ფართობი ჩვეულებრივ 6F² დიზაინზე დაახლოებით 33 პროცენტით ნაკლებია, რაც შესაძლოა ერთ ვაფლზე მეხსიერების უჯრედების რაოდენობა დაახლოებით 50 პროცენტით გაზარდოს. თუმცა DeBoer-მა განმარტა, რომ DRAM-ის ბიტების სიმკვრივეს საბოლოოდ კონდენსატორის ნაბიჯი და ზომები განსაზღვრავენ და არა ტრანზისტორის ზომა. 4F² და 6F² ტრანზისტორები კონდენსატორების ქვეშ უნდა განთავსდნენ, ამიტომ მხოლოდ ტრანზისტორის ფართობის შემცირება არ ნიშნავს, რომ მთლიანი უჯრედი უფრო მცირე იქნება.

Micron-მა ასევე დაადგინა, რომ 4F² დამატებით წარმოების საფეხურებს მოითხოვს, რაც ხარჯებს ზრდის, მაგრამ საკმარის სარგებელს არ იძლევა. DeBoer-მა სიმკვრივის სავარაუდო უპირატესობას მითი უწოდა და ხაზი გაუსვა, რომ DRAM-ის უჯრედის ზომას კონდენსატორის ნაბიჯი განსაზღვრავს.

მომავალი განვითარების გეგმა 6F² და 3D DRAM-ს მოიცავს

4F²-ის დანერგვის ნაცვლად Micron გააგრძელებს ჩვეულებრივი 6F² DRAM-ის სკალირებას მოწინავე ლითოგრაფიის, ახალი მასალებისა და ვაფლების შეერთების გამოყენებით. მომავალი 1δ ტექნოლოგიური პროცესი 2027 წლის მეორე ნახევარში მოცულობით წარმოებაში უნდა შევიდეს და წინამორბედთან შედარებით ბიტების სიმკვრივის დაახლოებით 20-25 პროცენტით გაუმჯობესებას უნდა უზრუნველყოს.

კომპანია ასევე გეგმავს high-NA EUV ლითოგრაფიის დანერგვას DRAM-ის მომავალ თაობებში. DeBoer-მა აღიარა, რომ 4F² ტექნიკურად შესაძლებელია და რომ Micron-ს ექსპერიმენტული მოწყობილობები შეუქმნია, თუმცა თქვა, რომ ელემენტების ზომების შემცირებასთან ერთად მისი სირთულე და ხარჯი სულ უფრო პრობლემური ხდება. მან აღნიშნა, რომ 4F²-ს გარკვეული წერტილის შემდეგ მდგრადი სკალირების გზა არ აქვს და ფუნდამენტური ფიზიკის პრობლემები 3D DRAM-ზე გადასვლას განაპირობებს.

Micron უკვე ავითარებს 3D DRAM-ის წარმოების კვანძების რამდენიმე თაობას და გადავა მაშინ, როცა ტექნოლოგია სიმკვრივის, წარმოების სირთულისა და ხარჯის სწორ კომბინაციას შესთავაზებს. მიუხედავად იმისა, რომ Samsung და SK hynix 4F²-ს თავიანთ საგზაო რუკებში ინარჩუნებენ, Micron თვლის, რომ 6F² სკალირების გაგრძელება და საბოლოოდ 3D DRAM-ზე გადასვლა გრძელვადიან პერსპექტივაში უკეთესი სტრატეგიაა.

წყაროები: Tom's Hardware