NVIDIA-ს საკუთარი HBM გეგმა Samsung-სა და TSMC-ს 3nm საბაზო კრისტალზე აერთიანებს
NVIDIA-ი მეხსიერების მომწოდებლებს საკუთარი HBM-ისთვის ერთი წარმოების პროცესისკენ უბიძგებს; Samsung, TSMC, Micron და SK hynix 3nm საბაზო კრისტალზე თანამშრომლობენ, რათა სტანდარტიზებული წარმადობა და ვერიფიკაციის ნაკლები ეტაპი მიიღონ.
NVIDIA-ი მეხსიერების მწარმოებლებს ერთი საბაზო კრისტალის პროცესის გაზიარებას სთხოვს
NVIDIA-ი ავითარებს საკუთარ HBM გადაწყვეტას, რომელსაც ანგარიშში NVHBM-ს უწოდებენ, თავისი Feynman GPU-ებისთვის. კომპანია ამბობს, რომ შიდა დიზაინს შეუძლია სტანდარტულ HBM4E-ზე მაქსიმუმ 30 პროცენტით მეტი მეხსიერების გამტარუნარიანობა უზრუნველყოს და მაქსიმუმ 15 პროცენტით ნაკლები ენერგია მოიხმაროს. ამ მიზნების მისაღწევად, ინფორმაციით, NVIDIA-ი Samsung-ს, Micron-სა და SK hynix-ს სთხოვს, NVHBM-ის საბაზო კრისტალი TSMC-ის 3nm პროცესზე დაამზადონ; ეს ნაბიჯი მეხსიერების მომწოდებლებს დროებით ერთ წარმოების პროცესზე აერთიანებს.
Samsung-ი შორდება სრული ციკლის მიდგომას
Samsung-ი, როგორც წესი, HBM-ის ძირითად და საბაზო კრისტალებს სრული ციკლის მიდგომით ამზადებდა. საკუთარი NVHBM-ი უფრო გამარტივებულ წარმოების მეთოდს მოითხოვს: საბაზო კრისტალი 3nm პროცესზე მზადდება, ამიტომ მზა პროდუქტს ხარისხის ვერიფიკაციის ნაკლები ეტაპი სჭირდება. ანგარიშის მიხედვით, Samsung-მა NVIDIA-ს თხოვნა მიიღო, რაც პირველი შემთხვევაა, როცა კომპანია თავის სრული ციკლის მოდელს შორდება. Samsung-ი კვლავ განიხილავს საკუთარი ფაუნდრის გამოყენებას იმ შემთხვევისთვის, თუ NVHBM-ზე მოთხოვნა TSMC-ის წარმოების შესაძლებლობებს გადააჭარბებს; სტანდარტული HBM-ის ძირითადი და საბაზო კრისტალების შემუშავებას კი Samsung-ი გააგრძელებს.
სტანდარტიზაცია და Samsung-ის ფაუნდრის სურათი
NVHBM-ის ძირითადი კრისტალი მეექვსე თაობის DRAM პროცესს, რომელსაც 1c ჰქვია, უნდა დაეყრდნოს. Micron-ი და SK hynix-ი Samsung-ს შეუერთდნენ წარმოების სტანდარტიზაციის მცდელობაში, რათა სხვადასხვა მწარმოებლის პროდუქტს ერთგვაროვანი წარმადობა ჰქონდეს. რადგან საბაზო კრისტალისთვის მხოლოდ TSMC-ის 3nm პროცესი იქნება გამოყენებული, NVIDIA-ს არ დასჭირდება თითოეული მომწოდებლის ნიმუშების ცალ-ცალკე ვერიფიკაცია, რაც დროსა და რესურსებს დაზოგავს. ანგარიშში ასევე აღნიშნულია HBM-ის როლი Samsung-ის ფაუნდრის ბიზნესში: კომპანიის სავარაუდო ზარალი ფაუნდრის მიმართულებით ერთ წელიწადში 41 პროცენტით შემცირდა, 2025 წელს 6,74 ტრილიონი ვონიდან (5,1 მილიარდი დოლარი) 2026 წელს 3,92 ტრილიონ ვონამდე (2,95 მილიარდი დოლარი), და HBM-ს მიაწერენ ზარალის შემცირების მთავარ ფაქტორად.
SiTech — AI-გაძლიერებული ვებ დეველოპმენტი
ვქმნით სწრაფ, თანამედროვე ვებსაიტებს და AI-ს ვაერთიანებთ ქართული ბიზნესებისთვის. გაქვთ პროექტი ან კითხვა? სიამოვნებით დაგეხმარებით.