Samsung-მა და SK hynix-მა, ცნობების თანახმად, ჩინეთში NAND-ის წარმოება 200 ფენის ზემოთ აიყვანეს, YMTC-ის ზრდის ფონზე
Samsung-ი გეგმავს სიანის NAND-ის ქარხნის დაახლოებით 200 ფენიდან 286-ფენიან V9-ზე გადაყვანას, SK hynix-ს კი დალიანში 240 ფენამდე NAND-ის წარმოების ნებართვა აქვს. TrendForce-ის ცნობით, ჩინეთზე Samsung-ის NAND-ის წარმოების 30-35 პროცენტი მოდის.
ჩინეთში NAND-ის განახლებები 200 ფენას სცდება
ხელოვნური ინტელექტით გამოწვეული მოთხოვნა DRAM-იდან NAND-ზე ვრცელდება, Samsung-სა და SK hynix-ს კი ჩინეთში მთავარი ქარხნების განახლება მიმდინარეობს. Reuters-ის ცნობით, Samsung-ს სიანის ქარხნის დაახლოებით 200-ფენიანი NAND-იდან 286-ფენიან V9 წარმოებაზე გადაყვანის გეგმა აქვს. SK hynix-ს უკვე აქვს ნებართვა დალიანში 240 ფენამდე NAND-ის წარმოებაზე. კომპანია შესაძლოა აშშ-ის ნებართვას ითხოვდეს 300-ზე მეტი ფენის ტექნოლოგიაზე კვლევისა და განვითარებისთვის.
TrendForce-ის შეფასებით, ჩინეთის წილი Samsung-ის NAND-ის მთლიან წარმოებაში დაახლოებით 30-დან 35 პროცენტამდეა, ხოლო SK hynix-ის შემთხვევაში ეს წილი კიდევ უფრო მაღალია, 40-დან 45 პროცენტამდე. ეს წილი ხაზს უსვამს, თუ რატომ ცდილობს ორივე კომპანია ჩინური ქარხნები სამხრეთ კორეის წარმოების სტანდარტებთან ახლოს შეინარჩუნოს.
YMTC-ი კონკურენციას აძლიერებს
განახლებები იმ ფონზე ხდება, რომ ჩინური YMTC უფრო მაღალ ფენებზე გადადის. Reuters-ის ცნობით, YMTC-ის NAND-ის პროდუქტების უმეტესობა ჯერ კიდევ 160 და 232 ფენის მოდელებზე მოდის, თუმცა კომპანია უკვე შეზღუდული რაოდენობით აწარმოებს 294-ფენიან ჩიპებს და გეგმავს 300 ფენის ზემოთ გასვლას.
ექსპორტის წესები კვლავ განსაზღვრავს ქარხნების გეგმებს
აშშ-ის საექსპორტო შეზღუდვები კვლავ მთავარ დაბრკოლებად რჩება. Reuters-ის ცნობით, Samsung-სა და SK hynix-ს ჩინურ ქარხნებში აშშ-ში წარმოებული აღჭურვილობის დასაყენებლად ყოველწლიური ლიცენზიები სჭირდებათ. ვაშინგტონმა 2025 წელს მიანიშნა, რომ იქ ტექნოლოგიურ განახლებებსა და სიმძლავრის გაფართოებას არ დაამტკიცებდა.
Samsung-მა და SK hynix-მა Reuters-ს დაუდასტურეს, რომ განახლებები ვაშინგტონთან მჭიდრო კოორდინაციით მიმდინარეობდა, თუმცა დეტალური საწარმოო გეგმების გამჟღავნებაზე უარი თქვეს. საკითხის მცოდნე პირების თქმით, ორივე კომპანია ცდილობს, ჩინურ ქარხნებში 200-ზე მეტი ფენის NAND აწარმოოს.
Samsung-მა და SK hynix-მა ჩინეთის გარეთ რბოლა გააგრძელეს
შიდა პროექტის ფარგლებში, რომელსაც Monami ჰქვია და ფრანგულად „ჩემი მეგობარი“ ნიშნავს, Samsung-ს სიანის ობიექტის 286-ფენიან V9 NAND-ზე გადაყვანის გეგმა აქვს. ცნობების თანახმად, SK hynix-ი გეგმავს დალიანის ქარხნების განახლებას ამჟამინდელი 192-ფენიანი NAND-ის ტექნოლოგიიდან 240 ან მეტ ფენამდე.
ჩინეთის გარეთ Samsung-მა V-NAND-ის სიმძლავრის დაახლოებით 60 პროცენტი 286-ფენიან V9-ზე გადაიყვანა, Seoul Economic Daily-ის ცნობით. გამოცემის თანახმად, Samsung-ი ზრდის მიწოდებებს NVIDIA-სთვის და უკვე დაიწყო V10 NAND-ის მასობრივი წარმოება და მიწოდება, ხოლო მომდევნო თაობის V11-ის განვითარება, რომელიც დაახლოებით 500 ფენას ისახავს მიზნად, აჩქარებული ტემპით მიმდინარეობს.
SK hynix-ი ასევე აჩქარებს 321-ფენიან NAND-ზე გადასვლას, რათა მზარდი მოთხოვნა დააკმაყოფილოს. Bloter-ის ცნობით, ეს ტექნოლოგია 2Q26-ში კომპანიის NAND-ის წარმოების ყველაზე დიდ სეგმენტად იქცა, ხოლო სამხრეთ კორეაში არსებული NAND-ის სიმძლავრის დაახლოებით ნახევარი, სავარაუდოდ, წლის ბოლომდე 321-ფენიან პროდუქტებზე გადავა.
წყაროები: Trendforce · Biggo Finance (Reuters Reprint)
SiTech — AI-გაძლიერებული ვებ დეველოპმენტი
ვქმნით სწრაფ, თანამედროვე ვებსაიტებს და AI-ს ვაერთიანებთ ქართული ბიზნესებისთვის. გაქვთ პროექტი ან კითხვა? სიამოვნებით დაგეხმარებით.