Micron gələcək DRAM üçün wafer bonding və High-NA EUV planlaşdırır

Micron gələcək DRAM üçün 4F2 yaddaş hüceyrələrini yol xəritəsindən çıxardıqdan sonra wafer bonding və High-NA EUV litografiyasından istifadə etməyi planlaşdırır. Şirkət həmçinin prosessorların birbaşa üstündə yerləşəcək şaquli yüksək zolaqlı yaddaş (vHBM) və şaquli kənar çıxarım yaddaşı (vEIM) hazırlayır. Micron gələcək DRAM miqyasının yeni proses texnologiyalarına və məntiq çipləri ilə daha sıx inteqrasiyaya söykənəcəyini bildirir.

Proses yol xəritəsi

Micron-un cari 1γ DRAM prosesi yüksək həcmli istehsalda yer alır, 1δ isə 2027-ci ilin ikinci yarısında həcmli istehsala planlaşdırılıb. 1δ prosesi bit sıxlığında 20%-lərin ortasında artım vəd edir və HBM5, vHBM və vEIM daxil olmaqla gələcək AI yaddaş məhsulları üçün optimallaşdırılıb. Bundan sonra Micron inkişaf mərhələsində olan 1ε prosesi ilə wafer bonding tətbiq etməyi planlaşdırır. Daha sonrakı nəsillər (ζÅ, ηÅ) üçün şirkət DRAM hüceyrələrini kiçiltməyə davam etmək üçün High-NA EUV litografiyasını və yeni materialları qəbul etməyi planlaşdırır. Micron həmçinin növbəti 5-10 il üçün istehsal texnologiyaları üzrə Albany NanoTech ilə əməkdaşlıq edir. Micron-un prezidenti və baş texnologiya və məhsullar direktoru Scott DeBoer bildirib ki, DRAM bu mərhələdə atom hüdudlarına yaxınlaşır və şirkət 3D DRAM-i xərc və performans baxımından optimal vaxtda təqdim etməyə fokuslanır.

3D DRAM planları

Micron yol xəritəsində 3D1 və 3D2 olmaqla iki 3D DRAM nəslini göstərir. Şirkət onların arxitekturasını və ya buraxılış cədvəllərini açıqlamayıb. Şirkət 3D DRAM-i yalnız texnologiya ənənəvi planar DRAM-a nisbətən istehsal xərcləri, mürəkkəblik və performans baxımından kifayət qədər üstünlük təmin edəndə təqdim edəcəyini bildirir. Micron-un CTO-su texnologiyanın paralel yol olduğunu və xərc, mürəkkəblik və cihaz performansı baxımından ideal şəkildə tətbiq ediləcəyini deyib.

Şaquli yaddaş

vHBM yaddaş steklərini prosessorların, məsələn AI akseleratorlarının və AI GPU-larının yanında deyil, birbaşa üstündə yerləşdirəcək. Bu, daha qısa əlaqələr vasitəsilə əhəmiyyətli dərəcədə aşağı gecikmə və daha yüksək zolaq genişliyi vəd edir, lakin həmçinin ciddi istilik problemləri yaradır və ASIC-in üstündə yerləşdirilə bilən yaddaş steklərinin sayını məhdudlaşdırır. Micron gözləyir ki, vHBM ənənəvi HBM-i tamamlayacaq; ənənəvi HBM bir çox AI akseleratorunda yaddaş tutumunun əsas hissəsini təmin etməyə davam edəcək.

vEIM arxitektura və qablaşdırma xüsusiyyətlərini vHBM ilə bölüşür, lakin avtonom nəqliyyat vasitələri, robototexnika və digər enerji məhdud cihazlarda istifadə olunan kənar AI prosessorları üçün enerji səmərəliliyini hədəfləyir. Hətta birinci nəsil vEIM 1 bit üçün 1 pJ-dən az enerji ilə 2 TB/s zolaq genişliyini hədəfləyir və Micron bildirir ki, bu, 2,048-bit interfeys üzərindən 8 GT/s ilə HBM4-ün hazırda təklif etdiyi ilə uyğundur. Micron bu məhsulları zolaq genişliyi, tutum və enerji tələblərinə əsasən müştərilərlə optimallaşdırmaq niyyətindədir.

Qablaşdırma və sənaye təsiri

Hər iki şaquli yaddaş arxitekturası qabaqcıl qablaşdırma, xüsusilə ənənəvi mikrobampalardan daha sıx əlaqə verən hibrid birləşdirmə (hybrid bonding) tələb edəcək. İstilik idarəetməsi, xüsusilə vHBM üçün kritik olacaq; Micron istiliyi yaddaş baza die-lərinin isti bölgələrindən DRAM stekləri vasitəsilə daşımaq üçün ixtisaslaşdırılmış istilik yayma strukturları hazırlayır. Şirkət vHBM, vEIM və ya xüsusi HBM-in kommersiya istehsalına nə vaxt daxil olacağını açıqlamayıb. Micron bildirir ki, gələcək yaddaş performansı artımları daha çox qabaqcıl qablaşdırmaya və prosessorlarla daha sıx inteqrasiyaya bağlı olacaq və bu, DRAM istehsalçıları ilə məntiq inkişaf etdiriciləri arasında əməkdaşlıq tələb edəcək. Bu, yaddaşı əmtəədən ASIC dizaynının kritik dərəcədə vacib bir inqrediyentinə çevirir.

Mənbələr: Tom's Hardware