CXMT-ը 4F² DDR5 սերվերային հիշողություն է նախատեսում 2026 թվականի վերջին

CXMT-ը 2026 թվականի վերջի համար 4F² սերվերային հիշողություն է նախատեսում

CXMT-ի նախագահը հայտարարել է Շանհայում ինտեգրված շղթաների և չիպլետների չորրորդ կոնֆերենցիայում, որ ընկերությունը նախատեսում է 2026 թվականի վերջին թողարկել 4F² DRAM արխիտեկտուրայի հիմքի վրա հիմնված DDR5 RDIMM սերվերային հիշողություն: Եթե այս գրաֆիկը պահպանվի, CXMT-ն կարող է 4F² հիշողությունը թողարկել մոտավորապես երկու տարով առաջ Samsung-ից, որի համար 4F² արտադրանքի թողարկումը նախատեսված է 2028 թվականում:

Ընկերության խոսքով, սովորական 6F² բջիջներից 4F²-ի անցումը կարող է մեկ չիպում DRAM բջիջների խտությունը 30-50%-ով մեծացնել: CXMT-ն այս արխիտեկտուրայի վերաբերյալ առաջին աշխատանքը հրապարակել է 2021 թվականին և համապատասխան 300-ից ավելի գրանցված պատենտային ընտանիք է հավաքել, ինչը Zhao-ն գնահատում է որպես արդյունաբերության առաջատար դիրք:

VSG-ն և HKMG-ն ավելի փոքր բջիջ են հնարավորություն տալիս

CXMT-ի խոսքով, իր իրականացման հիմնական նորությունն է ընկերության մշակած ուղղահայաց շրջապատված դռան տրանզիստորը (Vertical Surrounded Gate, VSG): Ուղղահայաց շրջապատված ալիքի կառուցվածքը նախատեսված է հոսանքի արտահոսը և կարճալիք ազդեցությունները ճնշելու համար և բջիջների փոքրացման դեպքում լավ մասշտաբայնություն ապահովում է:

CXMT-ն նաև իր G4 գործընթացում օգտագործում է High-k Metal Gate (HKMG) տեխնոլոգիան: Մեթոդը ավանդական սիլիցիումի հիմքով դռան իզոլտորները փոխարինում է բարձր դիելեկտրիկ հաստատունությամբ նյութերով, օրինակ հաֆնիումի օքսիդով, ինչը ընկերությունը կապակցում է փոքր հոսանքի արտահոսի, ավելի լավ էներգոարդյունավետության և ավելի արագ անցումների հետ:

Սերվերային շուկա և գործարանային հզորություն

Սերվերային հիշողությունը պահանջում է անընդհատ աշխատանք երկարատև բեռնման պայմաններում, ինչը ավելի մեծ պահանջ է, քան սպառողական էլեկտրոնիկայում, որտեղ, CXMT-ի խոսքով, իր հաճախորդների բազան կենտրոնացված էր: Ուստի RDIMM-ի ծրագիրը ուղղակի փորձ է մտնել բարձրակարգ սերվերային հիշողության շուկա, որը սպասարկում են Samsung-ը, SK Hynix-ը և Micron-ը: Նրանցից ոչ մեկը դեռ չի հասել 4F² արխիտեկտուրայի լայնածավալ առևտրային կիրառմանը, և SK Hynix-ի կամ Micron-ի համար 4F²-ի ժամկետները նշված չեն: Samsung-ը իր B1b գործընթացում ներկայացրել է wafer-to-wafer հիբրիդային կապի օգտագործման սխեման, թեև այս մոտեցումը թանկ է, և մինչև զանգվածային արտադրությունը դեռ տարիներ մնացել են:

CXMT-ը նաև ընդլայնում է հզորությունը: Ընկերությունը նախատեսում է մինչև տարվա վերջին երեք 300-մմ գործարաններում ամսական 300 000 սկզբնաղբյուր արտադրել: Շանհայում և Հեֆեյում շինման փուլում գտնվող երկու օբյեկտները վերջնական հաշվով կարող են հասցնել ընդհանուր հնարավորությունը ամսական 600 000 սկզբնաղբյուրով:

Աղբյուրներ: Tweaktown · Trendforce · Techmeme