Nagare Labs-ի Z2RAM-ը նպատակ ունի հասնել SRAM արագության և DRAM խտության

Nagare Labs-ը, Pat Gelsinger-ի աջակցությամբ Georgia Tech-ի սփին-աութ ընկերությունը, ասում է, որ իր Z2RAM հիշողությունը կարող է SRAM-ի արագությամբ և DRAM-ի խտությամբ հիշողություն տեղադրել անմիջապես AI չիպերի վրա։ Հիմնադիրների հրապարակված բջիջները տվյալները պահել են ավելի քան 300 վայրկյան 85 աստիճան Ցելսիուսում։ Ընկերության Gen 1 ցուցանիշները, ներառյալ 5x SRAM խտությունը և 14x DRAM արագությունը, մնում են կանխատեսումներ։

Ինչպես է աշխատում Z2RAM-ը

Nagare-ը Z2RAM-ը նկարագրում է որպես «Երկու տրանզիստոր և էկրան։ Առանց կոնդենսատորի»։ Գրելու տրանզիստորը լիցք է դնում պահեստավորման հանգույցի վրա, էկրանը արգելափակում է աղմկոտ հարևանները, իսկ կարդալու տրանզիստորը կարող է զգալ առանց լիցքաթափման։ Այս ուժեղացնող բջջում կարդալու տրանզիստորի գեյթի տարողությունը պահում է լիցքը, ուստի կարդալը ոչ ավերիչ է և խուսափում է DRAM-ի հետադարձ գրառումից։ Nagare-ը նպատակ ունի մեկ բիթի համար ծախսել շատ ավելի քիչ, քան մեկ պիկոջոուլ։

Հիշողության նեղ տեղը

AI չիպերը բարձր թողունակություն են պահանջում, բայց HBM-ի ելքատվությունը դժվար է։ Ջերմությունը նաև սահմանափակում է շերտավոր հիշողությունը, իսկ Samsung-ի zHBM-ը նախատեսված է մոտավորապես չորս շերտով։ Nagare-ը ասում է, որ գագաթնային հաշվարկը երեք տասնամյակում աճել է տարեկան 70 տոկոսով, իսկ հիշողության թողունակությունը՝ 20 տոկոսով։ Համահիմնադիր Shimeng Yu-ի խմբի 2025 թվականի սիմուլյացիան շերտավոր DRAM-ի տակ լոգիկ հզորությունը դրել է 220 W/cm2, իսկ ավելի լավ ջերմային վիաներով՝ 300 W/cm2, որպեսզի DRAM-ը պահվի 95 աստիճան Ցելսիուսից ոչ բարձր։

Հրապարակված արդյունքներ և բաց հարցեր

Համահիմնադիր Suman Datta-ի խմբի 2020 թվականի հոդվածը հայտնել է 25 աստիճան Ցելսիուսում 1 վայրկյան պահպանում և 85 աստիճան Ցելսիուսում 300 միլիվայրկյան։ 2025 թվականի թարմացումը հասել է ավելի քան 1000 վայրկյանի 25 աստիճան Ցելսիուսում, իսկ հետագայում ուժեղացված երեք տրանզիստորանոց բջիջը պահել է տվյալները ավելի քան 300 վայրկյան 85 աստիճան Ցելսիուսում։ Nagare-ը հրաժարվել է կիսվել չափված պահպանման, ուշացման կամ էներգիայի ցուցանիշներով։ Datta-ն The Register-ին ասել է, որ Z2RAM սալիկների նմուշառումը նախատեսված է չորս տարվա ընթացքում, իսկ արտադրական առաքումները, եթե իրականանան, հաջորդ տասնամյակում։

Արտադրական խոչընդոտներ

Nagare-ը շերտերը կառուցում է արագացուցիչի վրա և դրանք միասին նախշում մեկ դիեի վրա, առանց ինտերպոզերի կամ կապերի հիշողության շերտերի միջև։ Այժմ այն ֆաբ չունի և փնտրում է R&D ֆաբ գործընկեր։ Yu-ն The Register-ին ասել է, որ այս տեսակի հիշողությունը արագացուցիչի հետ ինտեգրելու ստանդարտ գոյություն չունի, իսկ Datta-ն նշել է հուսալիության մտահոգություններ, ինչպիսիք են մեկ էլեկտրոնի էֆեկտները։

Աղբյուրներ՝ Tom's Hardware