Micron-ը դադարեցնում է 4F² DRAM-ի մշակումը երկու տասնամյակից հետո՝ նշելով, որ խտության աճ չկա

Micron-ը դադարեցնում է 4F² DRAM-ի մշակումը

Micron-ը որոշել է դադարեցնել 4F² DRAM-ի հետագա զարգացումը՝ մոտ երկու տասնամյակի հետազոտությունից հետո։ Ընկերությունը նշում է, որ ճարտարապետությունը չի ապահովում էական խտության առավելություններ, բարձրացնում է արտադրության բարդությունը և արժեքը, և բախվում է հիմնարար մասշտաբավորման սահմանափակումների հետ։

Scott DeBoer՝ Micron-ի նախագահը և տեխնոլոգիայի և արտադրանքների գլխավոր տնօրենը, ասաց, որ ընկերությունը հայտնագործել է 4F² DRAM, բայց վերջին քսան տարիների ընթացքում գնահատել է այն և ընտրել է չհետապնդել այն՝ ավելի բարձր բարդության և ծախսի պատճառով։

Որոշման տեխնիկական պատճառները

4F² DRAM-ի տեսական օգուտը բջջի մակերեսն է՝ մոտ 33 տոկոսով փոքր սովորական 6F² նախագծերից, ինչը կարող է մեկ վեյֆերի վրա հիշողության բջիջների քանակը բարձրացնել մոտ 50 տոկոսով։ Սակայն DeBoer-ը բացատրեց, որ կոնդենսատորի քայլը և չափերը, այլ ոչ թե տրանզիստորի հետքը, վերջնականապես որոշում են DRAM-ի բիթային խտությունը։ Եվ 4F², և 6F² տրանզիստորները պետք է տեղավորվեն կոնդենսատորների տակ, ուստի միայն տրանզիստորի մակերեսի փոքրացումը չի երաշխավորում ավելի փոքր ընդհանուր բջիջ։

Micron-ը նաև պարզել է, որ 4F² ներմուծում է լրացուցիչ արտադրական քայլեր, որոնք բարձրացնում են ծախսերը առանց բավարար օգուտներ ապահովելու։ DeBoer-ը պնդվող խտության առավելությունը նկարագրել է որպես միֆ՝ ընդգծելով, որ կոնդենսատորի քայլը սահմանում է DRAM բջջի չափը։

Ապագայի ճանապարհային քարտեզը կենտրոնանում է 6F²-ի և 3D DRAM-ի վրա

4F²-ը չընդունելու փոխարեն Micron-ը կշարունակի սովորական 6F² DRAM-ի մասշտաբավորումը առաջադեմ լիթոգրաֆիայի, նոր նյութերի և վեյֆերների կպցման միջոցով։ Առաջիկա 1δ պրոցեսային տեխնոլոգիան նախատեսված է զանգվածային արտադրության 2027 թվականի երկրորդ կեսին և խոստանում է բիթային խտության միջին 20 տոկոսանոց բարելավում նախորդի համեմատ։

Ընկերությունը նաև նախատեսում է ընդունել բարձր-NA EUV լիթոգրաֆիա ապագա DRAM սերունդների համար։ DeBoer-ը ընդունեց, որ 4F²-ը տեխնիկապես իրագործելի է և որ Micron-ը կառուցել է փորձարարական սարքեր, բայց նա ասաց, որ դրա բարդությունն ու արժեքը դառնում են ավելի ու ավելի խնդրահարույց, երբ տարրերի չափերը փոքրանում են։ Նա նշեց, որ 4F²-ը չունի կայուն մասշտաբավորման ուղի որոշակի կետից այն կողմ և որ հիմնարար ֆիզիկական խնդիրները կհանգեցնեն դրա փոխարեն 3D DRAM-ի։

Micron-ը արդեն մշակում է 3D DRAM արտադրական հանգույցների բազմաթիվ սերունդներ և կանցնի, երբ տեխնոլոգիան առաջարկի խտության, արտադրական բարդության և արժեքի ճիշտ համադրությունը։ Մինչդեռ Samsung-ը և SK hynix-ը 4F²-ը պահում են իրենց ճանապարհային քարտեզներում, Micron-ը կարծում է, որ 6F² մասշտաբավորման ընդլայնումը և ի վերջո 3D DRAM անցումը ապահովում են ավելի լավ երկարաժամկետ ռազմավարություն։

Աղբյուրներ՝ Tom's Hardware