Samsung-ն և SK hynix-ը, ըստ տեղեկությունների, Չինաստանում NAND-ն 200 շերտից ավելի են հասցնում YMTC-ի բարձրացման պահին

Չինաստանում NAND-ի ժամանակակիցացումը անցնում է 200 շերտից

ԱԲ-ով պայմանավորված պահանջարկը տարածվում է DRAM-ից NAND, և Samsung-ն ու SK hynix-ը ժամանակակիցացնում են Չինաստանի խոշոր համալիրները։ Reuters-ի տեղեկությամբ՝ Samsung-ը նախատեսում է իր Xi'an գործարանում մոտ 200-շերտ NAND-ից անցնել 286-շերտ V9 արտադրանքի։ SK hynix-ը արդեն լիազորված է Դալյանում արտադրել մինչև 240-շերտ NAND և կարող է խնդրել ԱՄՆ-ի հավանություն 300+ շերտ տեխնոլոգիայի ուսումնասիրության և զարգացման համար։

TrendForce-ը գնահատում է, որ Չինաստանը կազմում է Samsung-ի ընդհանուր NAND արտադրանքի մոտ 30-ից 35 տոկոսը, իսկ SK hynix-ի դեպքում՝ ավելի բարձր՝ 40-ից 45 տոկոսը։ Այդ տոկոսը ընդգծում է, թե ինչու երկու ընկերություններն էլ փորձում են իրենց չինական գործարանները պահել Հարավային Կորեայի արտադրության ստանդարտներին մոտ։

YMTC-ն ավելացնում է ճնշումը

Ժամանակակիցացումները կատարվում են այն պահին, երբ Չինաստանի YMTC-ն ակտիվորեն անցնում է ավելի բարձր շերտերին։ Reuters-ն հաղորդել է, որ YMTC-ի NAND շարքում դեռևս գերակշռում են 160- և 232-շերտ արտադրանքները, սակայն ընկերությունն արդեն արտադրում է 294-շերտ չիպեր սահմանափակ ծավալներով և նախատեսում է գերազանցել 300 շերտը։

Արտահանման կանոնները դեռևս ձևավորում են գործարանների պլանները

ԱՄՆ-ի արտահանման սահմանափակումները մնում են հիմնական խոչընդոտը։ Reuters-ն հայտնել է, որ Samsung-ն ու SK hynix-ը պետք է ստանան տարեկան լիցենզիաներ՝ ԱՄՆ-ում արտադրված սարքավորումներ տեղադրելու համար իրենց չինական գործարաններում։ Վաշինգտոնը 2025 թվականին նշել է, որ չի հաստատի տեխնոլոգիական ժամանակակիցացումներ կամ հզորության ընդլայնումներ այնտեղ։

Samsung-ն ու SK hynix-ը հաստատել են Reuters-ին, որ ժամանակակիցացումները ընթանում են Վաշինգտոնի հետ սերտ համակարգման մեջ, սակայն հրաժարվել են բացահայտել մանրամասն արտադրության պլանները։ Նյութին ծանոթ աղբյուրները հայտնել են, որ երկու ընկերություններն էլ ձգտում են իրենց չինական համալիրներում արտադրել 200 շերտից ավելի NAND։

Samsung-ն և SK hynix-ը մրցում են Չինաստանից դուրս

Monami անվամբ ներքին նախագծի շրջանակներում, որը ֆրանսերեն նշանակում է «իմ ընկերը», Samsung-ը նախատեսում է Xi'an-ի համալիրում անցնել 286-շերտ V9 NAND-ի արտադրության։ Ըստ տեղեկությունների՝ SK hynix-ը նախատեսում է իր Դալյանի համալիրները ժամանակակիցացնել ընթացիկ 192-շերտ NAND տեխնոլոգիայից 240 շերտի կամ ավելի։

Չինաստանից դուրս Samsung-ը իր V-NAND հզորությունների մոտ 60 տոկոսն է անցնել 286 շերտով V9-ի՝ ըստ Seoul Economic Daily-ի։ Զեկույցում ասվում է, որ Samsung-ը բարձրացնում է առաքումները NVIDIA-ին և սկսել է V10 NAND զանգվածային արտադրությունն ու մատակարարումը, մինչդեռ հաջորդ սերնդի V11-ի մշակումը, որն ուղղված է մոտ 500 շերտին, արագանում է։

SK hynix-ը նույնպես արագացնում է անցումը 321-շերտ NAND-ին՝ բավարարելու աճող պահանջարկը։ Bloter-ը հաղորդել է, որ տեխնոլոգիան դարձել է իր ամենամեծ NAND արտադրանքի հատվածը 2Q26-ում, ընդ որում սպասվում է, որ իր ներքին NAND հզորությունների մոտ կեսը մինչև տարեվերջ կանցնի 321-շերտ արտադրանքի։

Աղբյուրները: Trendforce · Biggo Finance (Reuters Reprint)