
CXMT планує випустити 4F² DDR5 серверну пам'ять до кінця 2026 року
CXMT планує до кінця 2026 року випустити серверну пам'ять DDR5 RDIMM на базі архітектури 4F² DRAM. Це може дозволити компанії випередити Samsung приблизно на два роки. Перехід від 6F² комірок збільщує щільність чіпа.
CXMT має на меті серверну пам'ять 4F² до кінця 2026 року
CXMT планує до кінця 2026 року випустити серверну пам'ять DDR5 RDIMM на базі архітектури 4F² DRAM, заявив президент CXMT Цао Каньюй на четвертій конференції з інтегрованих мікросхем та чіплетів у Шанхаї. Якщо цей графік збережеться, CXMT може випустити пам'ять 4F² приблизно на два роки раніше за Samsung, який не очікує продукти 4F² до 2028 року.
За словами компанії, перехід від звичайних комірок 6F² до 4F² може збільшити щільність DRAM-комірок на одному чіпі на 30-50%. CXMT опублікувала першу роботу про цю архітектуру у 2021 році та накопичила понад 300 опублікованих патентних сімей, пов'язаних з нею, що Цао оцінює як провідну позицію в галузі.
VSG та HKMG дозволяють створити менші комірки
За словами CXMT, головним нововведенням у її реалізації є вертикально охоплений затворний транзистор (Vertical Surrounded Gate, VSG), розроблений компанією. Структура вертикально охопленого каналу призначена для боротьби з витоками струму та ефектами короткого каналу, а також забезпечує краще масштабування площі при зменшенні комірок.
CXMT також використовує технологію High-k Metal Gate (HKMG) у своєму процесі G4. Цей підхід замінює традиційні ізолятори затвора на основі кремнію матеріалами з високою діелектричною проникністю, наприклад оксидом гафнію, що компанія пов'язує з меншими витоками, кращою енергоефективністю та швидшим перемиканням.
Серверний ринок та потужності фабрик
Серверна пам'ять вимагає безперервної роботи в умовах тривалого навантаження, що є вищою вимогою, ніж у споживчій електроніці, де, за словами CXMT, база її клієнтів була зосереджена. Тому план щодо RDIMM є прямою спробою вийти на ринок серверної пам'яті високого класу, який обслуговують Samsung, SK Hynix та Micron. Жодна з цих трьох компаній ще не досягла широкомасштабної комерціалізації архітектури 4F², і для SK Hynix чи Micron терміни 4F² не названі. Samsung представила концепт використання гібридного з'єднання wafer-to-wafer у своєму процесі B1b, однак цей підхід дорого описаний і до масового виробництва ще роки.
CXMT також розширює потужності. Компанія має на меті до кінця року досягти виробництва 300 000 пластин на місяць на трьох 300-міліметрових фабриках. Два будівельних об'єкти в Шанхаї та Хефеї зрештою можуть загальні потужності до 600 000 пластин на місяць.
Джерела: Tweaktown · Trendforce · Techmeme
SiTech — веброзробка з підтримкою AI
Створюємо швидкі та сучасні сайти й інтегруємо AI у бізнес-процеси. Маєте проєкт чи запитання? Із задоволенням допоможемо.