Назад
Terafab отримає перший ASML EUV сканер у середині 2027 року, повідомляється в звіті
SiTech AI Team3 хв читання

Terafab отримає перший ASML EUV сканер у середині 2027 року, повідомляється в звіті

Проєкт Елона Маска Terafab, ймовірно, отримає перший ASML EUV літографічний стрій у середині 2027 року, однак сканер може простаювати без дії, доки не буде завершено експериментальну фабрику поблизу Остіна.

Перший EUV сканер буде доставлений у середині 2027 року

Проєкт Terafab Елона Маска, за даними Тіма Калпані, який спирається на обізнані джерела з цього питання, отримає від ASML перший EUV літографічний стрій у середині 2027 року. Однак цей найновіший сканер може певний час простаювати без дії, оскільки каркас дослідницької фабрики Tesla поблизу Остіна, ймовірно, не буде завершено до кінця 2027 року, а переміщення обладнання розпочнеться лише в кінці того ж року, повідомляє SemiAnalysis.

Tesla розпочала будівництво дослідницької фабрики на північному кампусі Giga Texas у квітні. За прогнозом SemiAnalysis, будівлю буде завершено за 15 місяців, після чого насть шестимісячний монтаж обладнання, а потім команда розпочне експерименти з виробництвом чіпів, щоб підготуватися до першої фази масового виробництва Terafab.

У центрі уваги процес Intel 14A

Прогноз щодо постачання звичайної EUV системи вказує на те, що перші спроби Terafab спиратимуться на традиційне обладнання, незважаючи на те, що Маск хвалиться джерелами світла на основі вільних електронів. Terafab використовує технологію виробництва Intel 14A, яка охоплює як наявні Low-NA EUV сканери, так і машини High-NA EUV наступного покоління.

Використання літографічних систем з нетрадиційними та менш перевіреними джерелами світла потребувало значних змін у процесі, широкої кваліфікації обладнання та можливої заміни фотомаск і фоторезистів, що ускладнює передачу технології Intel 14A і затримує запуск виробництва.

Об'єкт у Grimes County набуває форми

SpaceX на початку серпня 2026 року оголосив Grimes County місцем розташування Terafab. Кадри з дрону, опубліковані Джо Тегтмейєром в середині вересня, показали риття котловану та монтаж каркасу арматури, що свідчить про те, що конструктивне будівництво вже розпочалося на початку вересня. За прогнозом SemiAnalysis, перша фаза Terafab Grimes буде збудована за 20 місяців, оснащена за 17 місяців і вийде на обсягове виробництво за шість місяців; експлуатація розпочнеться наприкінці 2029 року, а масове виробництво — у середині 2030 року.

Варто відзначити, що SpaceX, як повідомляється, замовив обладнання для виробництва напівпровідників у квітні 2026 року, на кілька місяців раніше публічної заяви, що робить прогноз монтажу обладнання на середину 2028 року переконливим, оскільки постачання інструментів для виробництва передових чіпів має тривалі терміни.

Позиціонування проти Intel і TSMC

Intel планує ризиковане виробництво за процесом 14A у другій половині 2027 року, а масове виробництво — у другій половині 2028 року, що розміщує її запуск виробництва щонайменше на 1,5 роки раніше за першу фазу Terafab Grimes. TSMC має намір розпочати масове виробництво за процесом A12 наприкінці 2029 року; це вузол класу 1,2 нм з транзисторами nanosheet GAA другого покоління та задньою подачею живлення, тоді як Intel наближається до демонстрації вузла 14A-P. Оскільки Terafab, ймовірно, обслужуватиме лише SpaceX, Tesla та xAI, дещо менш передовий вузол не вважається великою проблемою для компанії.

Джерела: Tom's Hardware

SSiTech

SiTech — веброзробка з підтримкою AI

Створюємо швидкі та сучасні сайти й інтегруємо AI у бізнес-процеси. Маєте проєкт чи запитання? Із задоволенням допоможемо.