GlobalFoundries представив 7-нм клас FDX Fusion FD-SOI вузол

GlobalFoundries представив FDX Fusion, новий 7-нм клас процесу виробництва, що базується на технології повністю вихідненого кремнію на ізоляторі (FD-SOI). Вузол обіцяє 7-нм клас продуктивності і подвійну щільність транзисторів порівняно з початковим процесом 22FDX, представленим компанією у 2015 році. FDX Fusion з'явився приблизно через шість років після того, як GlobalFoundries у 2018 році припинив розробку 7-нм технології FinFET.

FDX Fusion входить у масове виробництво

Перша генерація FDX Fusion поєднує інновації в SOI субстратах, структурах транзисторів та back-end взаємозв'язках. GlobalFoundries не розкриває розміри транзисторів, контактний гейтовий піч, мінімальний металічний піч чи реальну щільність транзисторів, тому точні значення його заявленої продуктивності залишаються невизначеними. Компанія планує почати виробництво чіпів за технологією FDX Fusion у 2028 році на заводі в Дрездені, Німеччині.

FDX Fusion підтримує RF транзистори аж до 0,5 THz fT/fmax, аналогові та змішано-сигнальні схеми, вбудовану енергонезалежну пам'ять та обчислення в пам'яті. Ця комбінація спрямована на те, щоб уможливити високоінтегровані чіпи, які здатні обробляти дані сенсорів, запускати навантаження AI інференсу, керувати бездротовими пристроями та забезпечувати супутниковий зв'язок без багатьох окремих IC. GlobalFoundries також планує пропонувати процесорну IP на основі архітектур MIPS, ARC та RISC-V.

Важливий розвиток для FD-SOI

GlobalFoundries представив 22FDX у 2015 році і у 2016 році оголосив його нащадка 12FDX, технологію, яка обіцяла продуктивність порівнянно з 10-нм FinFET і зниження споживання енергії аж до 50 %. Перші tape-out-и 12FDX очікувалися у 2019 році, проте вузол ніколи не дістався до комерційних продуктів. Натомість компанія зосередилася на вдосконаленні 22FDX і пізніше представила 22FDX+, до якої додали RF, вбудовану пам'ять та можливості низького споживання енергії. FDX Fusion може зараз реалізувати перші амбіції GlobalFoundries щодо розширення FD-SOI після покоління 22 нм, хоча компанія не каже, чи включає вона розробки програми 12FDX.

CEA-Leti, яка роками досліджувала передову FD-SOI, описує FDX Fusion як однокристальний FD-SOI вузол. Викончий директор CEA-Leti Себастьєн Довем заявив, що інститут продовжує формування європейського шосе для FD-SOI через пілотну лінію FAMES.

Залишаються питання

GlobalFoundries планує надати початковий демонстраційний кремній для оцінки клієнтами на початку 2027 року, а перший process design kit — у середені 2027 року. BMW, Bosch, Infineon, NXP, Siemens та Tesla виявили інтерес до FDX Fusion, при цьому Infineon підтвердила співпрацю щодо майбутніх 7-нм технологій для радарів та супутникових комунікацій. Компанія не називає конкретні продукти і не зобов'язується за обсяги виробництва.

Комерційний успіх технології залежатиме від реальної продуктивності, щільності, витрат на виробництво та доступності конкурентноспроможної екосистеми дизайну. У повідомленні відсутні коментарі провідних розробників EDA та IP, і GlobalFoundries не уточнює інструменти EDA, стандартні бібліотеки комірок, компілятори пам'яті та IP інтерфейсів, які знадобиться створювачам чіпів. Поки не з'явиться конкретні цифри, невизначеним залишається, як FDX Fusion витримає порівняння за щільністю, споживанням енергії та вартістю з існуючими 7-нм класами FinFET процесів.

Джерела: Tomshardware