Micron завершує розробку 4F² DRAM після двадцяти років, посилаючись на відсутність вигоди за щільністю

Micron завершує розробку 4F² DRAM

Micron вирішила припинити подальшу розробку 4F² DRAM після приблизно двадцяти років досліджень. Компанія заявляє, що архітектура не надає значущих переваг за щільністю, ускладнює виробництво та збільшує витрати, а також стикається з фундаментальними обмеженнями масштабування.

Скотт ДеБоер, президент Micron та головний технологічний та продуктовий офіцер, сказав, що компанія винайшла 4F² DRAM, але оцінювала її протягом останніх двадцяти років і вирішила не розвивати її через вищу складність і витрати.

Технічні причини рішення

Теоретична перевага 4F² DRAM — це площа клітини приблизно на 33% менша за звичайні конструкції 6F², що могло б збільшити кількість пам’ятних клітин на вафелі приблизно на 50%. Проте ДеБоер пояснив, що крок конденсатора та його розміри, а не розмір транзистора, остаточно визначають щільність бітів DRAM. Транзистори 4F² і 6F² повинні поміщатися під конденсаторами, тому зменшення лише площі транзистора не гарантує меншу загальну клітину.

Micron також виявила, що 4F² додає додаткові етапи виробництва, які підвищують витрати, не забезпечуючи достатніх переваг. ДеБоер охарактеризував заяву про перевагу щільності як міф, наголошуючи, що крок конденсатора визначає розмір клітини DRAM.

Майбутня дорожня карта зосереджена на 6F² та 3D DRAM

Замість впровадження 4F², Micron продовжить масштабування звичайного 6F² DRAM за допомогою покращеної літографії, нових матеріалів та зв’язування вафель. Очікувана технологія процесу 1δ запланована для серійного виробництва у другій половині 2027 року і обіцяє покращення щільності бітів на 20-25% порівняно з попередником.

Компанія також планує впровадити літографію high-NA EUV для майбутніх поколінь DRAM. ДеБоер визнав, що 4F² технічно можлива і що Micron створила експериментальні пристрої, але зазначив, що її складність і витрати стають все більш проблематичними з зменшенням розмірів елементів. Він зазначив, що 4F² не має стійкого шляху масштабування за певної межі і що фундаментальні фізичні проблеми приведуть до 3D DRAM.

Micron вже розробляє кілька поколінь виробничих вузлів 3D DRAM і перейде, коли технологія запропонує правильну комбінацію щільності, складності виробництва та витрат. Поки Samsung та SK hynix зберігають 4F² у своїх дорожніх картах, Micron вважає, що розширення масштабування 6F² та остаточний перехід до 3D DRAM дасть кращу довгострокову стратегію.

Джерела: Tom's Hardware