План NVIDIA щодо кастомного HBM об’єднує Samsung і TSMC на 3nm базовому кристалі
NVIDIA закликає постачальників пам’яті використовувати один процес для кастомного HBM: Samsung, TSMC, Micron і SK hynix разом роблять базовий кристал на 3nm для стандартизованої продуктивності та менших перевірок.
NVIDIA просить виробників пам’яті узяти спільний процес для базового кристала
NVIDIA розробляє кастомне рішення HBM, згадане у звіті як NVHBM, для своїх GPU Feynman. Компанія стверджує, що власний дизайн може забезпечити до 30 відсотків більшу пропускну здатність пам’яті, ніж стандартний HBM4E, споживаючи до 15 відсотків менше енергії. Щоб досягти цих цілей, NVIDIA, за повідомленнями, просить Samsung, Micron і SK hynix виготовляти базовий кристал NVHBM за 3nm техпроцесом TSMC, крок, який тимчасово об’єднує постачальників пам’яті в межах одного виробничого процесу.
Samsung відходить від свого підходу «під ключ»
Samsung зазвичай виготовляла як основний, так і базовий кристали HBM за моделлю «під ключ». Кастомному NVHBM потрібен більш оптимізований виробничий метод: базовий кристал має бути виготовлений за 3nm техпроцесом, щоб готовий продукт потребував меншої кількості етапів контролю якості. За даними звіту, Samsung прийняла запит NVIDIA, і це перший випадок, коли компанія відходить від своєї моделі «під ключ». Samsung все ще оцінює власний завод на випадок, якщо попит на NVHBM перевищить виробничі потужності TSMC, а розробка стандартних основного і базового кристалів HBM і надалі залишатиметься за Samsung.
Стандартизація та завод Samsung
Основний кристал NVHBM має базуватися на шостому поколінні техпроцесу DRAM, відомому як 1c. Micron і SK hynix приєдналися до Samsung у зусиллях зі стандартизації виробництва з метою однакової продуктивності від різних постачальників. Оскільки для базового кристала використовувався б лише 3nm техпроцес TSMC, NVIDIA не довелося б окремо перевіряти зразки кожного постачальника, що заощаджує час і ресурси. У звіті також зазначено роль HBM у бізнесі Samsung із контрактного виробництва: оцінений збиток компанії від контрактного виробництва скоротився на 41 відсоток за один рік, з 6,74 трильйона вон (5,1 мільярда доларів) у 2025 році до 3,92 трильйона вон (2,95 мільярда доларів) у 2026 році, причому HBM вважається основним фактором зменшення цих збитків.
SiTech — веброзробка з підтримкою AI
Створюємо швидкі та сучасні сайти й інтегруємо AI у бізнес-процеси. Маєте проєкт чи запитання? Із задоволенням допоможемо.