Samsung та SK hynix, як повідомляється, просувають китайський NAND за межі 200 шарів, коли YMTC зростає

Оновлення китайського NAND переступають за 200 шарів

Спричинений штучним інтелектом попит поширюється від DRAM до NAND, і Samsung та SK hynix оновлюють ключові китайські об'єкти. Samsung планує перевести свій завод у Сяні з приблизно 200-шарового NAND на випуск V9 у 286 шарів, за даними Reuters. SK hynix вже має дозвіл на виробництво NAND аж до 240 шарів у Даліані і може шукати затвердження США для досліджень і розробок технології 300-плюс шарів.

TrendForce оцінює, що Китай відповідає за приблизно 30 до 35 відсотків загального випуску NAND Samsung, а для SK hynix — ще вищі 40-45 відсотків. Ця частка підкреслює, чому обидві компанії прагнуть утримувати свої китайські заводи близько до виробничих стандартів Південної Кореї.

YMTC додає тиск

Оновлення відбуваються, коли китайська YMTC просувається до вищих шарів. Reuters повідомив, що асортимент NAND YMTC все ще домінують продукти у 160 та 232 шари, але компанія вже виробляє чіпи у 294 шари в обмежених обсягах і планує просунутися за 300 шарів.

Правила експорту все ще формують плани фабрикації

Обмеження експорту США залишаються значною перешкодою. Reuters заявив, що Samsung і SK hynix повинні отримувати річні ліцензії для встановлення американського обладнання на своїх китайських заводах. Вашингтон вказав у 2025 році, що не затвердить оновлення технологій чи розширення потужностей там.

Samsung і SK hynix підтвердили Reuters, що оновлення тривають у тісній координації з Вашингтоном, але вони відмовилися розкривати детальні виробничі плани. Особи, знайомі з справою, казали, що обидві компанії прагнуть виробляти NAND з більш ніж 200 шарами на своїх китайських об'єктах.

Samsung і SK hynix гоняться за лідерством поза межами Китаю

У рамках внутрішнього проекту під назвою Monami, що французькою означає «мій друг», Samsung планує перевести об'єкт у Сяні на NAND V9 у 286 шарів. SK hynix, як повідомляється, планує оновити свої об'єкти у Даліані з поточної технології NAND у 192 шари на 240 шарів або більше.

Поза межами Китаю Samsung перевів приблизно 60 відсотків своєї потужності V-NAND на V9 у 286 шарів, згідно з Seoul Economic Daily. Звіт каже, що Samsung нарощує поставки NVIDIA і розпочав масове виробництво та постачання V10 NAND, тоді як розробка наступного покоління V11, спрямована на близько 500 шарів, прискорюється.

SK hynix також прискорює перехід на NAND у 321 шари для задоволення зростаючого попиту. Bloter повідомив, що ця технологія стала найбільшим сегментом виробництва NAND у 2Q26, з приблизно половиною вітчизняної потужності NAND, яку очікується перевести на продукти у 321 шари до кінця року.

Джерела: Trendforce · Biggo Finance (Reuters Reprint)