TSMC заперечує вивчення 3D DRAM на запит Nvidia

Нещодавнє повідомлення стверджувало, що TSMC вивчає виробництво 3D DRAM на запит Nvidia, оскільки попит на штучний інтелект напружує світові запаси DRAM і підвищує ціни. TSMC заперечила повідомлення, заявивши, що є ливарним підприємством логічних мікросхем і планує ним залишатися. Навіть якщо такий план існує, 3D DRAM ще роки до ринкової придатності.

Що каже повідомлення

The Information повідомило, що TSMC почала готувати плани виробництва 3D DRAM після запиту Nvidia, її найбільшого клієнта. Цитували двох людей, обізнаних з ініціативою. Як повідомляється, ініціативою керує Hsu Kuo-chin, віцепрезидент TSMC з передового пакування та колишній керівник тайванських операцій Micron. Повідомлення також стверджувало, що план може створити новий бізнес для TSMC і розширити її роль у ланцюгу постачання штучного інтелекту, хоча пам'ять схильна до циклічних ризиків.

Відповідь TSMC

TSMC заявила, що зосереджується на основному бізнесі, спеціалізованому ливарному виробництві інтегральних схем, і прагне бути надійним постачальником технологій і потужностей для світової індустрії логічних інтегральних схем. Представник компанії повідомив Tom's Hardware, що TSMC є ливарним підприємством логічних мікросхем і планує ним залишатися. Компанія тісно працює з виробниками DRAM, коли пакує пам'ять у системні корпуси для клієнтів, але їй бракує знань і виробничих потужностей для виготовлення DRAM, не кажучи вже про 3D DRAM.

Чому 3D DRAM ще далеко до ринкового виходу

На відміну від звичайної DRAM, яка розміщує комірки пам'яті в одній площині, 3D DRAM розташовує кілька рівнів комірок пам'яті вертикально, щоб збільшити ємність на пластину. Усі три провідні виробники DRAM, Micron, Samsung і SK hynix, працюють над 3D DRAM. Стратегія DRAM від Micron включає щонайменше ще чотири планарні технології виробництва DRAM до того, як 3D DRAM стане реальністю. TSMC має сильні логічні технології виробництва, але виробництво DRAM потребує зовсім інших виробничих процесів. Розроблення 3D DRAM також потребує технологій виготовлення кількох шарів комірок пам'яті з контролем дефектів і підтриманням прийнятного виходу придатних. Розробити процес 3D DRAM без конкурентоспроможного планарного процесу DRAM майже неможливо, а TSMC його не має. Навіть для великих виробників пам'яті 3D DRAM ще роки до реалізації, тому прагнення до неї не може розв'язати брак пам'яті щонайменше п'ять років.

Ризики та альтернативи

Вихід на виробництво DRAM піддав би TSMC ринковим ризикам. Брак пам'яті часто заохочує розширення потужностей, яке згодом створює надвиробництво, знижуючи ціни та прибутковість. Це також може ускладнити стосунки TSMC з великими виробниками DRAM, особливо SK Hynix, яка в 2024 році співпрацювала з ливарним підприємством для виробництва логічних базових кристалів для продуктів HBM наступного покоління. Потенційний вихід TSMC може викликати антимонопольні запитання, якщо він поєднає передове виробництво логічних мікросхем, передове пакування мікросхем і нарощування виробництва пам'яті. Регулятори можуть перевірити, чи дозволить вертикальна інтеграція TSMC віддавати перевагу власним продуктам пам'яті або ставити конкурентів у невигідне становище. Водночас інший постачальник може посилити конкуренцію на ринку, яким домінують три виробники. TSMC також могла б уникнути будівництва DRAM, виробляючи складні логічні базові кристали для HBM, інтегруючи пам'ять з процесорами за допомогою технології гібридного з'єднання SoIC і розробляючи індивідуальні рішення пам'яті з партнерами, такими як GUC і усталені виробники DRAM. Такий підхід може розширити присутність компанії в передовій пам'яті без інвестицій у мільярди доларів у розроблення процесів DRAM або будівництва додаткових фабрик за десятки мільярдів доларів.

Джерела: Tom's Hardware