Բլոգ

Micron-ը հաջորդ սերնդի DRAM-ի համար նախատեսում է վեյֆերների միացում և High-NA EUV

Micron-ը նշում է, որ ապագա DRAM-ի համար կօգտագործի վեյֆերների միացում և High-NA EUV, միաժամանակ մշակելով ուղղահայաց HBM և ուղղահայաց եզրային եզրակացության հիշողություն, որոնք կտեղադրվեն պրոցեսորների վրա։