Micron-ը հաջորդ սերնդի DRAM-ի համար նախատեսում է վեյֆերների միացում և High-NA EUV

Micron-ը նախատեսում է վեյֆերների միացում և High-NA EUV լիթոգրաֆիա ապագա DRAM-ի համար՝ հանելով 4F2 բջիջները ճանապարհային քարտեզից։ Ընկերությունը նաև մշակում է ուղղահայաց բարձր թողունակության և ուղղահայաց եզրային եզրակացության հիշողություններ, որոնք ուղղակիորեն կտեղադրվեն պրոցեսորների վրա։ Micron-ը նշում է, որ ապագա DRAM-ի մասշտաբավորումը կհիմնվի նոր գործընթացային տեխնոլոգիաների և տրամաբանական չիպերի հետ ավելի սերտ ինտեգրման վրա։

Գործընթացի ճանապարհային քարտեզ

Micron-ի 1γ DRAM գործընթացը զանգվածային արտադրության մեջ է, իսկ 1δ-ն նախատեսված է 2027-ի երկրորդ կեսին զանգվածային արտադրության համար։ 1δ-ն խոստանում է բիթային խտության շուրջ 25%-ով աճ և օպտիմալացված է AI հիշողության ապագա արտադրանքների համար՝ HBM5, vHBM, vEIM։ Ավելի ուշ Micron-ը նախատեսում է վեյֆերների միացում 1ε գործընթացով, որը մշակման փուլում է։ ζÅ և ηÅ սերունդների համար ընկերությունը նախատեսում է High-NA EUV լիթոգրաֆիա և նոր նյութեր՝ DRAM բջիջները փոքրացնելու համար։ Micron-ը նաև համագործակցում է Albany NanoTech-ի հետ արտադրական տեխնոլոգիաների շուրջ հաջորդ 5-10 տարիներին։ Micron-ի նախագահ և տեխնոլոգիաների ու արտադրանքների գլխավոր տնօրեն Scott DeBoer-ը ասել է, որ DRAM-ը մոտենում է ատոմային սահմաններին, և որ ընկերությունը կենտրոնացած է 3D DRAM-ը ներմուծել ծախսերի և արտադրողականության տեսանկյունից օպտիմալ ժամանակին։

3D DRAM-ի պլաններ

Micron-ը ճանապարհային քարտեզում նշում է 3D DRAM-ի երկու սերունդ՝ 3D1 և 3D2։ Դրանց ճարտարապետությունները և թողարկման ժամանակացույցերը չեն բացահայտվել։ 3D DRAM-ը կներմուծվի միայն այն ժամանակ, երբ տեխնոլոգիան բավարար առավելություններ կտա արտադրական ծախսերի, բարդության և արտադրողականության առումով՝ համեմատ սովորական հարթ DRAM-ի։ Micron-ի CTO-ն ասել է, որ տեխնոլոգիան զուգահեռ ուղի է և կիրականացվի ծախսերի, բարդության և սարքի արտադրողականության համար իդեալական ձևով։

Ուղղահայաց հիշողություն

vHBM-ը հիշողության ստեկները ուղղակիորեն կտեղադրի պրոցեսորների՝ AI արագացուցիչների և AI GPU-ների վրա, այլ ոչ թե կողքին։ Սա խոստանում է զգալիորեն ավելի ցածր ուշացումներ և ավելի բարձր թողունակություն ավելի կարճ միացումների միջոցով, սակայն ստեղծում է զգալի ջերմային մարտահրավերներ և սահմանափակում է ASIC-ի վրա տեղադրվող հիշողության ստեկների քանակը։ Micron-ը սպասում է, որ vHBM-ը կլրացնի սովորական HBM-ը, որը շարունակելու է ապահովել հիշողության հիմնական ծավալը բազմաթիվ AI արագացուցիչներում։

vEIM-ը ճարտարապետական և փաթեթավորման բնութագրերով նման է vHBM-ին, սակայն նպատակ ունի էներգաարդյունավետություն ապահովել եզրային AI պրոցեսորների համար՝ ինքնավար տրանսպորտային միջոցներում, ռոբոտատեխնիկայում և այլ էներգիայով սահմանափակ սարքերում։ Անգամ առաջին սերնդի vEIM-ը նպատակ ունի 2 TB/s թողունակություն՝ մեկ բիթի համար 1 պՋ-ից պակաս էներգիայով, ինչը Micron-ի խոսքով համապատասխանում է HBM4-ին՝ 8 GT/s արագությամբ 2,048-բիթանոց ինտերֆեյսով։ Micron-ը նպատակ ունի այս արտադրանքները օպտիմալացնել հաճախորդների հետ՝ ըստ թողունակության, ծավալի և էներգիայի պահանջների։

Փաթեթավորում և ոլորտային ազդեցություն

Երկու ուղղահայաց հիշողության ճարտարապետություններն էլ կպահանջեն առաջադեմ փաթեթավորում, մասնավորապես՝ հիբրիդային միացում, որը հնարավորություն է տալիս շատ ավելի խիտ միացումներ, քան սովորական միկրոբամպերը։ Ջերմային կառավարումը կարևոր կլինի, հատկապես vHBM-ի համար, և Micron-ը մշակում է մասնագիտացված ջերմություն տարածող կառուցվածքներ՝ հիշողության բազային դիերի տաք հատվածներից ջերմությունը DRAM ստեկներով տեղափոխելու համար։ Ընկերությունը չի բացահայտել, թե երբ vHBM-ը, vEIM-ը կամ պատվերով HBM-ը կմտնեն առևտրային արտադրություն։ Micron-ը նշում է, որ ապագա հիշողության արտադրողականության բարելավումները ավելի ու ավելի կկախվեն առաջադեմ փաթեթավորումից և պրոցեսորների հետ սերտ ինտեգրումից, ինչը պահանջում է DRAM արտադրողների և տրամաբանական մշակողների համագործակցություն։ Սա հիշողությունը ապրանքից վերածում է ASIC նախագծման կարևորագույն բաղադրիչի։

Աղբյուրներ՝ Tom's Hardware