Micron-ი მომავალი თაობის DRAM-ისთვის ვაფერების დაწებებასა და High-NA EUV-ს გეგმავს

Micron-ი მომავალი DRAM-ისთვის ვაფერების დაწებებასა და High-NA EUV-ს გეგმავს, მას შემდეგ რაც 4F2 მეხსიერების უჯრედები გეგმიდან ამოიღო. კომპანია ასევე ავითარებს ვერტიკალურ HBM-სა და ვერტიკალური ინფერენსის მეხსიერებას (vEIM), რომლებიც პროცესორების ზემოდან განთავსდება. Micron-ის თქმით, DRAM-ის შემდგომი მასშტაბირება ახალ პროცესებსა და ლოგიკურ ჩიპებთან ინტეგრაციას დაეყრდნობა.

პროცესის გეგმა

Micron-ის მიმდინარე 1γ პროცესი მასობრივ წარმოებაშია, 1δ კი 2027 წლის მეორე ნახევარში მასობრივ წარმოებაში უნდა შევიდეს. 1δ ბიტების სიმკვრივეს დაახლოებით 25%-ით ზრდის და ოპტიმიზებულია AI პროდუქტებისთვის, მათ შორის HBM5-ის, vHBM-ისა და vEIM-ისთვის. შემდეგ Micron-ი 1ε პროცესში ვაფერების დაწებებას დანერგავს; 1ε ჯერ შემუშავების პროცესშია. ζÅ და ηÅ თაობებისთვის კომპანია High-NA EUV ლითოგრაფიასა და ახალ მასალებს გეგმავს, რათა DRAM-ის უჯრედები კიდევ შეამციროს. Micron-ი Albany NanoTech-თან მომდევნო ხუთიდან 10 წლამდე საწარმოო ტექნოლოგიებზე თანამშრომლობს. Micron-ის პრეზიდენტმა და მთავარი ტექნოლოგიისა და პროდუქტების ოფიცერმა სკოტ დებოერმა თქვა, რომ DRAM ატომურ ზღვარს უახლოვდება და 3D DRAM ოპტიმალურ დროს, ღირებულებისა და წარმადობის მიხედვით უნდა დაინერგოს.

3D DRAM-ის გეგმები

გეგმაში 3D DRAM-ის ორი თაობაა, 3D1 და 3D2. კომპანიამ მათი არქიტექტურა და გამოშვების გრაფიკი არ გაამხილა. 3D DRAM მხოლოდ მაშინ დაინერგება, როცა ტექნოლოგია ჩვეულებრივ პლანარულ DRAM-თან შედარებით საკმარის უპირატესობას შესთავაზებს ხარჯებში, სირთულესა და წარმადობაში. Micron-ის CTO-ის თქმით, ეს პარალელური გზაა და განხორციელდება ღირებულების, სირთულისა და მოწყობილობის წარმადობისთვის იდეალურად.

ვერტიკალური მეხსიერება

vHBM მეხსიერების დასტებს AI აჩქარებლებისა და AI GPU-ების ზემოდან ათავსებს, არა გვერდით. ეს უფრო მოკლე კავშირებით მნიშვნელოვნად დაბალ შეყოვნებასა და მაღალ გამტარუნარიანობას გვპირდება, მაგრამ თერმულ გამოწვევებს ქმნის და ზღუდავს დასტების რაოდენობას, რომლებიც ASIC-ის ზემოდან შეიძლება განთავსდეს. vHBM ჩვეულებრივ HBM-ს შეავსებს, რომელიც AI აჩქარებლებში მეხსიერების ძირითად მოცულობას კვლავ უზრუნველყოფს.

vEIM vHBM-თან არქიტექტურასა და შეფუთვას იზიარებს, მაგრამ ენერგოეფექტურობაზეა ორიენტირებული კიდური AI პროცესორებისთვის ავტონომიურ ავტომობილებში, რობოტიკაში და სხვა ენერგიით შეზღუდულ მოწყობილობებში. vEIM-ის პირველი თაობაც კი მიზნად ისახავს 2 TB/s გამტარუნარიანობას 1 pJ-ზე ნაკლები ენერგიით თითო ბიტზე, რაც, Micron-ის თქმით, HBM4-ის ამჟამინდელ შეთავაზებას შეესაბამება 8 GT/s სიჩქარით 2,048-bit ინტერფეისზე. Micron-ი ამ პროდუქტებს მომხმარებლებთან ერთად ოპტიმიზებს გამტარუნარიანობის, ტევადობისა და ენერგომოთხოვნების მიხედვით.

შეფუთვა და ინდუსტრიაზე გავლენა

ორივე ვერტიკალური მეხსიერების არქიტექტურა მოწინავე შეფუთვას, განსაკუთრებით ჰიბრიდულ დაწებებას მოითხოვს, რაც ჩვეულებრივ მიკრობამპებზე ბევრად მკვრივ კავშირებს იძლევა. თერმული მართვა კრიტიკული იქნება, განსაკუთრებით vHBM-ისთვის; Micron-ი სითბოს გავრცელების სპეციალურ სტრუქტურებს ავითარებს, რათა სითბო მეხსიერების საბაზისო კრისტალების ცხელი უბნებიდან DRAM-ის დასტებში გადაიტანოს. კომპანიას არ გაუმხელია, როდის შევა vHBM, vEIM ან custom HBM კომერციულ წარმოებაში. Micron-ი აცხადებს, რომ მეხსიერების წარმადობის ზრდა სულ უფრო მეტად მოწინავე შეფუთვასა და პროცესორებთან ინტეგრაციაზე იქნება დამოკიდებული, რაც DRAM-ის მწარმოებლებსა და ლოგიკის შემქმნელებს შორის თანამშრომლობას მოითხოვს. ეს მეხსიერებას სასაქონლო პროდუქტიდან ASIC-ის დიზაინის კრიტიკულ კომპონენტად აქცევს.

წყაროები: Tom's Hardware